elm14826aa

双 N 沟道 MOSFET
ELM14826AA-N
■概要
■特点
ELM14826AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=6.3A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
60
±20
6.3
5.0
40
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
2.00
1.28
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
50.0
62.5
℃/W
73.0
31.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
GATE1
DRAIN1
6
7
8
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
D2
D1
G2
G1
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM14826AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=48V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
60
1
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Rds(on)
Vgs=10V,Id=6.3A
5
1.0
40
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5.7A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Gfs
Vsd
V
Vds=5V, Id=6.3A
Is=1A, Vgs=0V
100
nA
2.1
3.0
V
A
20
34
22
25
42
30
27
0.74
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
mΩ
1.00
S
V
3
A
2300
pF
pF
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
1920
155
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
116
0.65
0.80
pF
Ω
47.6
24.2
58.0
30.0
nC
nC
Vgs=10V, Vds=30V, Id=6.3A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=30V
td(off) RL=4.7Ω, Rgen=3Ω
tf
6.0
14.4
7.6
nC
nC
ns
5.0
28.9
5.5
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=6.3A, dlf/dt=100A/μs
33.2
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=6.3A, dlf/dt=100A/μs
43.0
40.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
双 N 沟道 MOSFET
ELM14826AA-N
■标准特性和热特性曲线
40
30
10V
4V
25
4.5V
20
3.5V
125°C
15
10
10
25°C
5
Vgs=3V
0
0
1
2
3
4
0
5
1.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
4
22
Normalized On-Resistance
2.2
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
18
16
Vgs=10V
2
Id=6.3A
1.8
Vgs=4.5V
1.6
Id=5.7A
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
15
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
50
Id=6.3A
1.0E+00
40
125°C
125°C
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m� )
2
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
24
Rds(on) (m� )
Vds=5V
20
Id (A)
Id (A)
30
30
25°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
1.0E-04
1.0E-05
10
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
双 N 沟道 MOSFET
ELM14826AA-N
10
3000
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
3500
Vds=15V
Id=6.3A
6
4
2
Ciss
2500
2000
1500
Coss
1000
Crss
500
0
0
10
20
30
40
0
50
0
5
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
Rds(on)
limited
10�s
100�s
1ms
10.0
10ms
1s
1.0
0.1s
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
10
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
1
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
0.1
0.1
30
30
Power (W)
Id (Amps)
100.0
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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