elm34810aa

双 N 沟道 MOSFET
ELM34810AA-N
■概要
■特点
ELM34810AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=7A
·Rds(on) < 21mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
30
±20
7
6
40
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
A
Pd
2.0
1.3
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
3
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
最大值
单位
62.5
℃/W
Rθja
■引脚配置图
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
典型值
5
引脚编号
引脚名称
1
2
SOURCE1
GATE1
3
4
SOURCE2
GATE2
5
6
7
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
8
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM34810AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1.0
25
Vgs=10V, Id=7A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=15V, Id=5A
1.5
15
21
24
μA
±100
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
1.3
V
A
1
2.5
A
3
21
35
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
1650
365
pF
pF
Crss
170
pF
Qg
18.0
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
If=1A, Vgs=0V
Vgs=5V, Vds=15V, Id=7A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
25.0
5.5
6.7
nC
2
nC
nC
2
2
11
9
25
20
18
40
ns
ns
ns
2
2
2
11
15.5
7.9
20
ns
ns
nC
2
NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
双 N 沟道 MOSFET
P2103HVG
SOP-8
Lead-Free
ELM34810AA-N
■标准特性和热特性曲线
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Jun-29-2004
NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
双 N 沟道 MOSFET
P2103HVG
SOP-8
Lead-Free
ELM34810AA-N
4
4- 4
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Jun-29-2004
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