elm16800ea

双 N 沟道 MOSFET
ELM16800EA-S
■概要
■特点
ELM16800EA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=3.4A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 115mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
30
±12
3.4
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
2.7
20
Idm
Tc=25℃
容许功耗
1.15
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
1
A
2
W
0.73
-55 ~ 150
Tj, Tstg
A
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
t≦10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
■引脚配置图
1
5
2
最大值
110
150
单位
℃/W
℃/W
备注
64
80
℃/W
3
1
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
典型值
78
106
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE1
SOURCE2
GATE2
4
5
6
DRAIN2
SOURCE1
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM16800EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
1
Ta=55℃
1.4
V
A
Vgs=4.5V, Id=3A
50
66
60
60
80
75
88
7.8
115
0.8
1.0
V
1.5
A
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
μA
1.0
Vgs=2.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=3A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
5
nA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
100
Vgs=10V,Id=3.4A
漏极 - 源极导通电阻
30
0.6
20
Ta=125℃
Is
mΩ
S
390.0
pF
54.5
41.0
3
pF
pF
Ω
4.96
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.4A
Qgd
td(on)
0.80
1.72
6.8
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=4.7Ω, Rgen=6Ω
tf
3.6
35.2
13.7
ns
ns
ns
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
11.4
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
6.0
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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双 N 沟道 MOSFET
ELM16800EA-S
■标准特性和热特性曲线
15
10
10V
3V
Vds=5V
8
4.5V
25°C
9
Id (A)
Id (A)
12
2.5V
6
3
125°C
6
4
2
Vgs=2V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
3.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
150
Normalized On-Resistance
1.8
125
Rds(on) (m� )
1
Vgs=2.5V
100
Vgs=4.5V
75
50
Vgs=10V
25
0
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
25
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
200
1.0E+00
Id=2A
1.0E-01
100
Is (A)
Rds(on) (m� )
150
125°C
125°C
1.0E-02
1.0E-03
50
25°C
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
双 N 沟道 MOSFET
ELM16800EA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
600
Vds=15V
Id=3.4A
3
2
1
Ciss
400
300
200
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
1ms
10s
DC
0.1
1
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
5
1s
0.1
15
15
10�s
0.1s 10ms
1.0
10
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Crss
Coss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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