elm36800ea

双 N 沟道 MOSFET
ELM36800EA-S
■概要
■特点
ELM36800EA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=3.5A
·Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
30
±20
3.5
2.8
10
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
A
Pd
1.15
0.73
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
3
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
t≦10s
Rθja
1
2
单位
℃/W
150
℃/W
80
℃/W
备注
■电路图
SOT-26(俯视图)
5
最大值
110
Rθjl
■引脚配置图
6
典型值
4
3
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE1
SOURCE2
3
4
GATE2
DRAIN2
5
6
SOURCE1
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM36800EA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1.0
10
1.5
±100
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
240
pF
正向跨导
Gfs
Vgs=10V, Id=3.5A
Vgs=4.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=3.5A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=0.8A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
200
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
40
20
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
6.5
1.2
1.6
8.5
nC
nC
nC
2
2
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=3.5A
55
75
4.5
μA
68
98
pF
pF
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A
7
12
11
18
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω
tf
trr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
12
7
40
18
11
80
ns
ns
ns
2
2
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
双 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
P6803HAG
Dual N-Channel Enhancement Mode
ELM36800EA-S
Field
Effect Transistor
TSOP-6
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
ID, Drain-source current(A)
VGS= 10V
6.0V
RDS(ON), Normalized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
10
4.5V
8
4.0V
6
4
3.5V
2
3.0V
0
0
1
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2
1.8
VGS= 4.0V
1.6
4.5V
1.4
5.0V
1.2
6.0V
7.0V
1
10V
0.8
2
0
4
3
2
VGS, Drain-Source Voltage(V)
4
6
8
10
ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
1.6
ID= 3.5A
VGS= 10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
0.275
RDS(ON), On-resistance(OHM)
DS(ON)
R
, Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with Temperature.
0.175
0.125
0
25
75
50
100
125
TA= 125°C
TA= 25°C
0.075
0.025
-25
ID=2A
0.225
150
4
2
TJ, Junction Temperature(°C)
Is, Reverse Drain Current (A)
10
ID, Drain Current(A)
125°C
TA= -55°C
8
25°C
6
4
2
0
1
2
3
4
8
10
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
Transfer Characteristics.
VDS= 5V
6
VGS, Gate to Source Voltage(V)
5
VGS, Gate to Source Voltage(V)
6
10
VGS= 0V
1
TA= 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD, Body Diode Forword Voltage(V)
3
4- 3
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OCT-12-2005
1.4
双 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
10
ID = 3.5A
400
15V
VDS= 5V
Capacitance(pF)
8
VGS (Voltage)
10V
6
4
2
300
2
3
4
6
5
Ciss
200
Coss
100
0
1
Crss
0
7
0
5
10
Qg (nC)
20
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
5
30
100
us
10
T
IMI
N)L
O
(
S
RD
3
4
1m
s
10m
s
1
100
ms
1s
DC
0.3
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=150°C/W
TA=25°C
0.1
0.03
0.1
0.3
1
Power(W)
ID, Drain Current(A)
15
VGS (Voltage)
Maximum Safe Operating Area.
0.01
TSOP-6
Lead-Free
Capacitance Characteristics
Gate-Charge Characteristics
0
P6803HAG
Dual N-Channel Enhancement Mode
ELM36800EA-S
Field Effect Transistor
3
2
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=150°C/W
TA=25°C
1
3
10
30
0
0.01
50
VDS, Drain-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
300
Single pulse time(SEC)
1
D=0.5
0.5
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transient Thermal Response Curve.
0.2
0.2
0.1
0.05
0.05
0.02
R¿ JA(t) = r(t) * R¿ ��
R¿ JA=150°C/W
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.0001
t1
t2
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 Time(Sec)
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
OCT-12-2005
300
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