elm57800ga

双 N 沟道 MOSFET
ELM57800GA-S
■概要
■特点
ELM57800GA-S 是 N 沟 道 低 输 入 电 容、 低 工 作 电
·Vds=20V
压、 低 导 通 电 阻 的 大 电 流 MOSFET, 並 内 藏 有 两 个
MOSFET。
·Id=1.8A
·Rds(on) < 280mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 340mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 580mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
20
V
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
±12
V
Id
1.8
1.2
A
Idm
6
A
Pd
0.3
0.2
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
■引脚配置图
■电路图
SC-70-6(俯视图)
6
5
4
1
2
3
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE1
2
3
4
GATE1
DRAIN2
SOURCE2
5
GATE2
6
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM57800GA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=20V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
20
1
Ta=85℃
5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V,Id=1.8A
1.8
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
1.0
280
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A
300
340
Vgs=1.8V, Id=1.2A
Vds=10V, Id=1.0A
Is=1.0A, Vgs=0V
500
1
0.65
580
Gfs
Vsd
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
Is
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Qg
μA
nA
V
A
240
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
V
mΩ
1.20
S
V
1
A
70
pF
20
8
pF
pF
1.06
1.38
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=1.2A
Qgd
td(on)
0.18
0.32
18
26
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V
td(off) RL=20Ω, Id=1.2A, Rgen=1Ω
tf
20
70
25
28
110
40
ns
ns
ns
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AFN1912
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology双 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM57800GA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
www.alfa-mos.com
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Enhancement Mode MOSFET
双 N 沟道 MOSFET
ELM57800GA-S
Typical Characteristics
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Rev.A Oct. 2010
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20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
双 N 沟道 MOSFET
ELM57800GA-S
Typical Characteristics
■测试电路和波形
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