elm14803ab

双 P 沟道 MOSFET
ELM14803AB-N
■概要
■特点
ELM14803AB-N 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=-30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=-5A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 46mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 74mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
崩溃能量
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
-30
±20
-5
Idm
-4
-30
Ias, Iar
Eas, Ear
17
14
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
V
V
A
2.0
1.3
-55 ~ 150
A
3
A
mJ
3
3
W
2
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≦10s
Rθja
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθjl
■引脚配置图
典型值
48.0
最大值
62.5
单位
℃/W
备注
1
74.0
35.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
1, 4
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE2
2
3
4
GATE2
SOURCE1
GATE1
5
6
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
D2
D1
G2
G1
6-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 P 沟道 MOSFET
ELM14803AB-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-30V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.5
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-30
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Rds(on)
Gfs
Vsd
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
栅极电阻
开关特性
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=-10V,Id=-5A
V
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
-2.0
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
3.5
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A
nA
V
A
32
46
48
68
51
13
-0.7
74
Is
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
-2.5
μA
mΩ
-1.0
S
V
-2.5
A
520
pF
100
65
pF
pF
7.5
11.5
Ω
9.2
4.6
1.6
11.0
6.0
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
2.2
7.5
5.5
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
19.0
7.0
ns
ns
11.0
5.3
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响。
2. 功耗 Pd 值是基于 T ≤ 10s 的结合部 - 环境温度热阻的 Tj(max)=150℃值所得出的。
3. 重复速度与脉冲宽度受到 Tj(max)=150℃所限制。此测试是依据低週波以及功率循环以维持最初的 Tj=25℃。
4. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
5. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 300ms,最大占空比为 0.5% 的条件下得出的。
6. 这些特性是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 1 平方英尺 FR-4 履铜板上,在室温无风条件下结合部 - 环境
温度热阻为 Tj(max)=150℃ 下测试的结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
6-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AO4803A
双 P 沟道 MOSFET
ELM14803AB-N
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
30
40
-10V
35
-8V
-6V
30
-5V
20
-ID(A)
-ID (A)
25
VGS=-4.5V
20
15
15
10
-4V
10
5
VDS=-5V
25
125�C
5
VGS=-3.5V
0
0
0
1
2
3
4
0.5
5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5)
80
1.8
Normalized On-Resistance
70
VGS=-4.5V
60
RDS(ON) (mΩ
Ω)
25�C
50
40
30
VGS=-10V
20
VGS=-10V
ID=-5A
1.6
1.4
17
5
VGS=-4.5V
ID=-4A2
10
1.2
1
0.8
10
0
2
4
6
8
0
10
-ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note )5)
120
25
50
75
100
125
150
175
1.0
1.2
0
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
18Temperature
(Note )5)
1.0E+02
ID=-5A
1.0E+01
100
40
80
125�C
60
-IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1.0E+00
125�C
1.0E-01
25�C
1.0E-02
1.0E-03
40
1.0E-04
25�C
20
2
1.0E-05
0.0
4
6
8
10
-VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
0.2
0.4
0.6
0.8
-VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
6-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AO4803A
双 P 沟道 MOSFET
ELM14803AB-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
10
1
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=110�C/W
0.1
PD
0.01
Single Pulse
Ton
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note )6)
6-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
AO4803A
双 P 沟道 MOSFET
ELM14803AB-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
800
10
VDS=-15V
ID=-5A
700
Ciss
600
Capacitance (pF)
-VGS (Volts)
8
6
4
2
500
400
300
Coss
200
100
0
0
2
4
6
8
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
TA=25�C
10
0
5
10
15
20
25
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
100.0
TA=100�C
10µs
TA=150�C
10.0
TA=125�C
-ID (Amps)
-IAR (A) Peak Avalanche Current
Crss
0
10.0
RDS(ON)
limited
100µs
1.0
1ms
10ms
0.1
DC
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
10s
0.0
1.0
0.01
1
10
100
1000
Time in avalanche, tA (µ
µs)
Figure 9: Single Pulse Avalanche capability (Note )3)
0.1
1
10
-VDS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note )6)
100
10000
TA=25�C
Power (W)
1000
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note 6)
6-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1000
双 P 沟道 MOSFET
AO4803A
ELM14803AB-N
■试验电路图和测试波形图
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
-
+
VDC
-
Qgd
Qgs
Vds
+
VDC
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vgs
DUT
Vgs
VDC
-
td(on)
t d(off)
tr
tf
90%
Vdd
+
Rg
toff
ton
Vgs
10%
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
2
L
E AR= 1/2 LIAR
Vds
Vds
Id
Vgs
VDC
-
Vgs
+
Rg
Vdd
BVDSS
Id
I AR
DUT
Vgs
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vds +
DUT
Vds -
Isd
Vgs
Ig
Vgs
L
-Isd
+ Vdd
VDC
-
-I F
t rr
dI/dt
-I RM
-Vds
6-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Vdd
Similar pages