双 P 沟道 MOSFET ELM14805AA-N ■概要 ■特点 ELM14805AA-N 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=-30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=-8A (Vgs=-20V) ·Rds(on) < 18mΩ (Vgs=-20V) ·Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ 容许功耗 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 V ±25 V Id -8.0 -6.9 A 1 Idm -40 A 2 W 1 2.00 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg 1.44 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 50.0 最大值 62.5 单位 ℃/W 73.0 31.0 110.0 40.0 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE2 GATE2 3 4 5 SOURCE1 GATE1 DRAIN1 6 7 DRAIN1 DRAIN2 8 DRAIN2 D2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 P 沟道 MOSFET ELM14805AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±25V -30 -1 Ta=55℃ -5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.7 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -40 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 -2.5 -3.0 μA nA V A 16.0 19.0 20.5 25.0 15.0 33.0 21 18.0 Is=-1A, Vgs=0V -0.75 -1.00 -2.6 V A 2500 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 2076 503 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 302 2 Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-8A 39.0 8.0 Vgs=-10V，Id=-8A 漏极 - 源极导通电阻 V Ta=125℃ Vgs=-20V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-5A Vds=-5V, Id=-8A 16 mΩ S 3 45.0 pF Ω nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 11.4 12.7 7.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω tf 25.2 12.0 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=-8A, dlf/dt=100A/μs If=-8A, dlf/dt=100A/μs 32 26 40 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 P 沟道 MOSFET ELM14805AA-N ■标准特性和热特性曲线 50 -10V -8V 25 -6V 20 -5V 30 20 -Id (A) -Id (A) Vds=-5V -5.5V 40 -4.5V 10 15 10 125°C 5 Vgs=-4V 25°C 0 0 0 1 2 3 4 0 5 0.5 30 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.4 25 Vgs=-6V 20 15 Vgs=-10V 10 5 0 Id=-8A 1.3 Vgs=-10V 1.2 1.1 Vgs=-4.5V 1 0.9 0.8 0 5 10 15 20 25 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 60 1.0E+00 50 Id=-8A 1.0E-01 40 30 -Is (A) Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 20 1.0E-03 1.0E-04 25°C 10 1.0E-05 0 1.0E-06 2 4 6 125°C 1.0E-02 8 25°C 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 双 P 沟道 MOSFET ELM14805AA-N 10 2500 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 3000 Vds=-15V Id=-8A 6 4 Ciss 2000 1500 Coss 1000 2 Crss 500 0 0 5 10 15 20 25 30 35 0 40 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10.0 100�s 1ms Rds(on) limited 10�s 10ms 1s DC 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 0 0.01 0.1 1 -Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 10 10s 10 20 30 0.1s 0.1 15 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000