elm14805aa

双 P 沟道 MOSFET
ELM14805AA-N
■概要
■特点
ELM14805AA-N 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=-30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=-8A (Vgs=-20V)
·Rds(on) < 18mΩ (Vgs=-20V)
·Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-10V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
容许功耗
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
V
±25
V
Id
-8.0
-6.9
A
1
Idm
-40
A
2
W
1
2.00
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
1.44
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≦10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
50.0
最大值
62.5
单位
℃/W
73.0
31.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE2
GATE2
3
4
5
SOURCE1
GATE1
DRAIN1
6
7
DRAIN1
DRAIN2
8
DRAIN2
D2
D1
G2
G1
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 P 沟道 MOSFET
ELM14805AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±25V
-30
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.7
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-40
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
-2.5
-3.0
μA
nA
V
A
16.0
19.0
20.5
25.0
15.0
33.0
21
18.0
Is=-1A, Vgs=0V
-0.75
-1.00
-2.6
V
A
2500
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
2076
503
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
302
2
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-8A
39.0
8.0
Vgs=-10V,Id=-8A
漏极 - 源极导通电阻
V
Ta=125℃
Vgs=-20V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Vds=-5V, Id=-8A
16
mΩ
S
3
45.0
pF
Ω
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
11.4
12.7
7.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω
tf
25.2
12.0
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
32
26
40
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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双 P 沟道 MOSFET
ELM14805AA-N
■标准特性和热特性曲线
50
-10V
-8V
25
-6V
20
-5V
30
20
-Id (A)
-Id (A)
Vds=-5V
-5.5V
40
-4.5V
10
15
10
125°C
5
Vgs=-4V
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
30
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.4
25
Vgs=-6V
20
15
Vgs=-10V
10
5
0
Id=-8A
1.3
Vgs=-10V
1.2
1.1
Vgs=-4.5V
1
0.9
0.8
0
5
10
15
20
25
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
60
1.0E+00
50
Id=-8A
1.0E-01
40
30
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
20
1.0E-03
1.0E-04
25°C
10
1.0E-05
0
1.0E-06
2
4
6
125°C
1.0E-02
8
25°C
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
双 P 沟道 MOSFET
ELM14805AA-N
10
2500
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
3000
Vds=-15V
Id=-8A
6
4
Ciss
2000
1500
Coss
1000
2
Crss
500
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
40
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
100�s
1ms
Rds(on)
limited
10�s
10ms
1s
DC
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
0
0.01
0.1
1
-Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
10
10s
10
20
30
0.1s
0.1
15
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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