elm34803aa

双 P 沟道 MOSFET
ELM34803AA-N
■概要
■特点
ELM34803AA-N 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=-30V
低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。
·Id=-8A
·Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 34mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）
崩溃电流
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
±25
-8
Id
Ta=70℃
崩溃能量
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
V
A
-6
Idm
Ias
-40
-30
A
A
Eas
45
2.00
1.28
mJ
-55 ~ 150
℃
Pd
结合部温度及保存温度范围
V
Tj, Tstg
3
W
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
最大值
62.5
单位
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
典型值
5
引脚编号
引脚名称
1
SOURCE1
2
3
4
GATE1
SOURCE2
GATE2
5
6
7
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
8
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 P 沟道 MOSFET
ELM34803AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
-30
V
Vds=-24V,Vgs=0V
-1
Vds=-20V,Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±25V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-9A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-7A
Gfs Vds=-5V, Id=-9A
Vsd If=-9A, Vgs=0V
-1.0
μA
±100
nA
-1.5
20
-3.0
22
V
29
20
34
Is
mΩ
1
-1
S
V
1
1
-2
A
输入电容
Ciss
1480
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Rs Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
334
231
2.9
pF
pF
Ω
30
15
nC
nC
2
2
5
6
nC
nC
2
2
13
8
16
ns
ns
ns
2
2
2
12
40
26
ns
ns
nC
2
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qg
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-9A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V , Id=-9A
td(off) Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-9A, dlf/dt=100A/μs
If=-9A, dlf/dt=100A/μs
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
双 P 沟道 MOSFET
Level Enhancement Mode P2003KV
NIKO-SEM P-Channel Logic
ELM34803AA-N
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Field Effect Transistor
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
V GS = 7V
25
V G S = 4 .5 V
20
15
10
5
VGS = 3V
0
1
1 .5
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
2
0.06
0.04
0.02
ID = -9A
0
2
4
6
0.06
0.05
8
VGS = 4.5V
0.04
0.03
VGS = 10V
0.02
0.01
0
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.08
0
0.07
2 .5
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.10
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0 .5
On-Resistance VS Drain Current
0.08
VGS = 10V
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
30
5
0
1.5
RDS(ON) ╳
1.4
RDS(ON) ╳
1.3
RDS(ON) ╳
1.2
RDS(ON) ╳
1.1
RDS(ON) ╳
1.0
RDS(ON) ╳
0.9
RDS(ON) ╳
0.8
RDS(ON) ╳
0.7
-50
25
20
15
T j =125° C
T j =25° C
T j =-20° C
0
1.0
-25
0
25
50
75
100
125
150
Gate charge Characteristics
Characteristics
10
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
Transfer Characteristics
5
25
TJ , Junction Temperature(˚C)
V DS = -15V
10
20
V GS=-10V
ID =-9A
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
30
15
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) ╳
10
10
-ID , Drain-To-Source Current
8
ID=-9A
V DS=-15V
6
4
2
0
1.5
REV 0.9
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
4.5
0
5.0
5
10
15
20
Qg , Total Gate Charge
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
25
Sep-21-2009
30
双Logic
P 沟道
MOSFET
P-Channel
Level
Enhancement Mode P2003KV
NIKO-SEM
ELM34803AA-N
Field
Effect Transistor
Body Diode Forward Voltage VS Source current
Capacitance Characteristic
1.0E+02
-IS , Source Current(A)
2.00E+03
C , Capacitance(pF)
1.60E+03
Ciss
8.00E+02
4.00E+02
Coss
1.0E-01
0
5
10
15
20
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1.0E-03
25
0.0
30
Safe Operating Area
1000
↓
70
0.6
0.8
Power(W)
80
100us
1
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TA=25° C
3.RθJA = 62.5° C/W
4.Single Pulse
1.0
1.2
SINGLE PULSE
RθJA = 62.5° C/W
TA=25° C
60
50
1m s
40
10m s
100m s
1S
10S
DC
30
20
10
0
0.01
1
10
0.0001
100
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
1
10
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
Transient Thermal Resistance
0.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
90
0.1
0.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
100
Operation in This
Area is Lim ite d by
RDS(ON)
10
r(t) , Normalized Effective
T J =25 ° C
1.0E-02
1.0E-05
0.00E+00
0.1
T J =150° C
1.0E-04
Crss
-ID , Drain Current(A)
1.0E +01
1.0E+00
1.20E+03
100
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
0.2
Note
0.1
1.00E-01
0.05
0.02
1.00E-02
0.01
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 62.5 ℃ /W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
single Pluse
1.00E-03
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
1.E+00
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.E+01
1.E+02
Sep-21-2009