elm14404aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14404AA-N
■概要
■特点
ELM14404AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=8.5A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 24mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 48mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
30
±12
8.5
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
7.1
Idm
Tc=25℃
容许功耗
60
3.0
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
1
A
2
W
2.1
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
A
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
31
59
16
40
75
24
℃/W
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14404AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
0.002
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.7
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
40
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=8.5A
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=5A
1.4
μA
nA
V
A
20.5
24.0
30.0
36.0
25.0
40.0
16
30.0
48.0
0.71
1.00
4.3
V
A
1030
pF
pF
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
857
97
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
71
1.4
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=8.5A
9.70
1.63
栅极 - 漏极电荷
10
1.0
正向跨导
Is=1A, Vgs=0V
1.000
5.000
100
栅极阈值电压
Vgs=10V
Id=8.5A
V
mΩ
S
3.6
12.00
pF
Ω
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
3.10
3.3
4.7
5.0
7.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=6Ω
tf
26.0
4.1
39.0
6.2
ns
ns
15.0
8.6
20.0
12.0
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
If=5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM14404AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
20
10V
3V
25
2.5V
Id(A)
20
Id (A)
Vds=5V
16
4.5V
15
12
125°C
8
10
25°C
2V
4
5
Vgs=1.5V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
50
Rds(on) (m� )
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=2.5V
40
30
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
10
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
5
10
15
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
1.0E+01
90
1.0E+00
80
70
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
Id=5A
1.0E-01
125°C
60
Is (A)
Rds(on) (m� )
0.5
50
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
40
THIS PRODUCT
HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER
1.0E-04 MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS
IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
30
25°C
1.0E-05 THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES
20
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
1.0E-06
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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单 N 沟道 MOSFET
ELM14404AA-N
5
1200
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
1400
Vds=15V
Id=8.5A
3
2
1000
600
400
1
0
2
4
6
8
10
0
12
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Power (W)
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
1
10
Z�ϕα Normalized Transient
Thermal Resistance
30
30
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
25
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
100
Vds (Volts)
10
20
10
0.1
0.1
15
40
1ms
10.0
10
50
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100�s
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
Rds(on)
limited
Crss
Coss
200
0
Id (Amps)
Ciss
800
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT
OR USES AS CRITICAL
D
0.1 HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET.PAPPLICATIONS
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
TonIMPROVE PRODUCT DESIGN,
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO
T
Single Pulse
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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