elm14406aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14406AA-N
■概要
■特点
ELM14406AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=11.5A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 16.5mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 26mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
30
±12
漏极电流(脉冲)
Idm
11.5
9.6
80
崩溃电流
持续崩溃能量
Iav
Eav
25
78
漏极电流(定常)
Id
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
3.0
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
1
A
2
A
mJ
2, 5
2, 5
W
2.1
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
A
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
23
48
12
40
65
16
℃/W
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14406AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
0.003
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.8
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
60
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=10A
Vgs=2.5V, Id=8A
Vds=5V, Id=10A
1.5
μA
nA
V
A
11.5
14.0
16.0
19.2
13.5
19.5
38
16.5
26.0
0.83
1.00
4.5
V
A
2300
pF
pF
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
1630
201
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
142
0.8
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=11.5A
18.0
2.5
栅极 - 漏极电荷
25
1.0
正向跨导
Is=10A, Vgs=0V
1.000
5.000
100
栅极阈值电压
Vgs=10V
Id=12A
V
mΩ
S
1.8
24.0
pF
Ω
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
5.5
4.0
5.0
6.0
7.5
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω
tf
32.0
5.0
50.0
10.0
ns
ns
18.7
12.5
24.0
15.0
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=10A, dlf/dt=100A/μs
If=10A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM14406AA-N
■标准特性和热特性曲线
50
10V
2.5V
3V
40
20
30
15
20
2V
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
25°C
5
Vgs=1.5V
0
125°C
10
10
0
5
0
30
0.5
1.5
2
2.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
3
Id=10A
Normalized On-Resistance
Vgs=2.5V
20
10
0
5
Vgs=2.5V
1.2
Vgs=10V
0
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=4.5V
15
Vgs=10V
1.6
5
1
0.8
10
15
20
25
30
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
40
Id=10A
Vgs=0V
1.0E+00
30
125°C
1.0E-01
125°C
Is (A)
Rds(ON) (m� )
1
1.8
25
Rds(on) (m� )
Vds=5V
25
Id(A)
Id (A)
30
4.5V
1.0E-02
20
25°C
1.0E-03
25°C
10
1.0E-04
0
0.00
1.0E-05
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.4 Vsd (Volts)
0.6
0.8
1.0
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM14406AA-N
5
2250
2000
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
2500
Vds=15V
Id=11.5A
3
2
1
1750
Ciss
1500
1250
1000
750
Coss
Crss
500
250
0
0
4
8
12
16
20
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
24
0
100.0
Rds(on)
limited
1ms
10.0
Power (W)
Id (Amps)
0.1s
1s
10
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
20
0
0.001
DC
0.1
0.1
30
10
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
40
10ms
1.0
10
50
10�s
100�s
5
1
D=T on/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
T
1
10
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
4-4
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100
1000
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