elm14408aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14408AA-N
■概要
■特点
ELM14408AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻和快速开关的大电流 MOSFET。
·Id=12A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 13mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
30
±12
漏极电流(脉冲)
Idm
12
10
80
崩溃电流
持续崩溃能量
Iav
Eav
30
100
漏极电流(定常)
Id
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
3.0
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
1
A
2
A
mJ
2, 5
2, 5
W
2.1
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
A
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
23
48
12
40
65
16
℃/W
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14408AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
0.003
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
40
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Gfs
Vsd
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=10A
Vds=5V, Id=10A
Is=1A, Vgs=0V
30
1.5
10.5
14.0
16.0
21.0
13.0
48
0.76
16.5
Is
Ciss
1020
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
320
80
Rg
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
2.5
μA
nA
V
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
1.000
5.000
100
栅极阈值电压
Vgs=10V
Rds(on) Id=12A
V
mΩ
1.00
S
V
4.5
A
1200
pF
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
0.25
0.50
Ω
12.5
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=12A
10.3
2.1
3.9
nC
nC
nC
3.9
3.0
19.2
5.5
6.0
30.0
ns
ns
ns
5.0
32
ns
ns
32
nC
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
tf
trr
If=12A, dlf/dt=100A/μs
2.6
26
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=12A, dlf/dt=100A/μs
18
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM14408AA-N
■标准特性和热特性曲线
50
10V
40
3.5V
Vds=5V
25
3V
20
30
Id(A)
Id (A)
30
4.5V
20
15
125°C
10
10
5
Vgs=2.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
14
Rds(on) (m�)
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
16
Vgs=4.5V
12
10
Vgs=10V
8
0
5
10
15
Vgs=10V
Id=10A
1.6
Vgs=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
40
1.0E+01
Id=10A
Vgs=0V
1.0E+00
30
125°C
100
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m�)
25°C
0
125°C
20
1.0E-02
25°C
10
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
0.0
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.0
单 N 沟道 MOSFET
ELM14408AA-N
5
1250
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=12A
3
2
1
Ciss
1000
750
Coss
500
250
0
0
2
4
6
8
10
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10.0
100�s
Power (W)
1s
1.0
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0.01
0.1
100
10
100
1000
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
100
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
1
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
Vds (Volts)
10
30
20
DC
1
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
0.1
0.1
10
40
10ms
0.1s
0.0001
0.001
0.01
1
0.1
T
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4
70
Ta=25°C
60
Power Dissipation (W)
Id(A), Peak Avalanche Current
Id (Amps)
1ms
5
50
10�s
Rds(on)
limited
Crss
0
12
50
40
30
ta �
20
L� Id
BV � Vdd
10
0
0.00001
0.0001
0.001
Time in avalanche, tA (s)
Figure 12: Avalanche capability
3
2
10s
1
SteadyState
0
25
50
75
100
125
Tcase (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note A)
4-4
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