elm14418aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14418AA-N
■概要
■特点
ELM14418AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=11.5A (Vgs=20V)
·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=20V)
·Rds(on) < 17mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
如没有特别注明时, Ta=25℃
项目
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
记号
Vds
Vgs
规格范围
30
±25
单位
V
V
备注
Id
11.5
9.7
A
1
A
2
Idm
Tc=25℃
容许功耗
40
3.0
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
W
2.1
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
31
59
16
40
75
24
℃/W
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14418AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±25V
30
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.5
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
40
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Vgs=20V
Id=11.5A
V
Ta=125℃
Vgs=10V, Id=10A
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=10A
3.0
nA
V
A
9.8
14.0
14.2
18.0
12.3
32.0
22
17.0
40.0
0.76
1.00
4.3
mΩ
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
758
180
pF
pF
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
128
0.7
pF
Ω
16.6
8.6
nC
nC
2.5
4.9
5.4
nC
nC
ns
5.1
14.4
ns
ns
3.7
16.9
6.6
ns
ns
nC
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V, Id=11.5A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=1.3Ω, Rgen=3Ω
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
tf
trr
Qrr
If=11.5A, dlf/dt=100A/μs
If=11.5A, dlf/dt=100A/μs
14
2.4
μA
S
V
A
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM14418AA-N
■标准特性和热特性曲线
50
30
10V
45
6V
7V
35
Id (A)
25
Vds=5V
20
5V
30
25
Id(A)
40
3.5V
20
15
125°C
10
15
Vgs=3V
10
5
0
0
1
2
3
4
25°C
5
0
5
2
2.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
4
4.5
5
5.5
1.8
Normalized On-Resistance
40
Vgs=4.5V
35
Rds(on) (m� )
3.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
45
30
25
20
15
Vgs=10V
10
Vgs=20V
5
0
5
10
15
20
25
Id=10A
1.6
Vgs=20V
1.2
1
0.8
30
0
1.0E+01
50
1.0E+00
Id=10A
50
75
100
125
150
175
1.0E-01
Is (A)
30
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
40
Vgs=10V
1.4
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Rds(on) (m� )
3
125°C
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
1.0E-04
25°C
10
1.0E-05
0
0
5
10
15
0.0
20
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
单 N 沟道 MOSFET
ELM14418AA-N
10
1000
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1200
Vds=15V
Id=11.5A
6
4
Ciss
800
600
400
2
Coss
200
Crss
0
0
4
8
12
16
0
20
0
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
1ms
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
10
100
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
30
30
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
10
10s
0.1
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10�s
Power (W)
Id (Amps)
50
10ms
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
15
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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