elm14430aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14430AA-N
■概要
■特点
ELM14430AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=18A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 5.5mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
30
±20
18
15
80
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
3.0
2.1
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
31
40
℃/W
59
16
75
24
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14430AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
30
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
80
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Vgs=10V
Rds(on) Id=18A
Gfs
Vsd
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=15A
Vds=5V, Id=18A
Is=1A, Vgs=0V
1.8
2.5
μA
nA
V
A
4.7
5.5
6.5
8.0
6.2
82
0.7
7.5
Is
mΩ
1.0
S
V
4.5
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
4660
6060
7270
pF
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
425
240
638
355
960
530
pF
pF
0.20
0.45
0.90
Ω
80
37
103
48
18
124
58
nC
nC
nC
栅极电阻
开关特性
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V, Id=18A
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
15
12.0
8.0
16.0
12.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=0.83Ω, Rgen=3Ω
tf
51.5
8.8
70.0
14.0
ns
ns
33.5
22.0
44.0
30.0
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=18A, dlf/dt=100A/μs
If=18A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM14430AA-N
■标准特性和热特性曲线
60
60
10V
Id (A)
40
50
4.5V
3.5V
Vds=5V
40
30
Id(A)
50
3.0V
125°C
30
20
20
10
10
Vgs=2.5V
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
1
1.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
7.0
Normalized On-Resistance
1.6
6.5
Rds(on) (m� )
2
Vgs=4.5V
6.0
5.5
5.0
Vgs=10V
4.5
4.0
3.5
Vgs=4.5V
Id=18A
1.4
Vgs=10V
1.2
1
0.8
0
20
40
60
80
100
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+02
16
1.0E+01
1.0E+00
Id=18A
Is (A)
Rds(on) (m� )
12
125°C
8
125°C
25°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
4
1.0E-01
1.0E-04
1.0E-05
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
单 N 沟道 MOSFET
ELM14430AA-N
10
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
8000
Vds=15V
Id=18A
6
4
2
4000
2000
0
0
20
40
60
80
100
Ciss
6000
Crss
0
120
0
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
10ms
10.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
60
40
0
0.001
Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
20
0.1
1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
80
1ms
0.1s
0.1
15
100
10�s
1s
10s
DC
1.0
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Coss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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