elm14440aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14440AA-N
■概要
■特点
ELM14440AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=5.0A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
60
±20
5
4
20
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
2.5
1.6
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
38
50
℃/W
69
24
80
30
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14440AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=48V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
60
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
20
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Rds(on)
Gfs
Vsd
Vgs=10V, Id=5A
V
2.3
Vgs=4.5V, Id=4A
Vds=5V, Id=5A
Is=1A, Vgs=0V
54
11
0.78
Is
Ciss
450
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
Crss
60
25
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=30V, Id=5A
V
55
75
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
nA
A
42
Ta=125℃
3.0
μA
mΩ
75
1.00
S
V
4
A
540
pF
pF
pF
1.65
2.00
Ω
8.5
4.3
1.6
10.5
5.5
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V
2.2
5.1
2.6
7.0
4.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=6Ω, Rgen=3Ω
tf
15.9
2.0
20.0
3.0
ns
ns
25.1
28.7
35.0
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
If=5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
AO4440
ELM14440AA-N
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
20
15
10.0V
5.0V
VDS=5V
10
4.5V
10
125°C
ID(A)
ID (A)
15
4.0V
5
5
25°C
VGS=3.5V
0
0
1
2
3
4
0
5
2
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3.5
4
4.5
5
2
80
Normalized On-Resistance
90
RDS(ON) (mΩ )
3
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
100
VGS=4.5V
70
60
50
VGS=10V
40
30
20
0
5
10
15
1.8
VGS=10V
ID=5A
1.6
VGS=4.5V
ID=4A
1.4
1.2
1
0.8
20
0
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
160
1.0E+01
ID=5A
140
1.0E+00
125°C
1.0E-01
100
IS (A)
120
RDS(ON) (mΩ )
2.5
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
80
1.0E-04
25°C
60
1.0E-05
40
2
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.6
0.8
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.4
1.0
单 N 沟道 MOSFET
AO4440
ELM14440AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
10
Capacitance (pF)
8
VGS (Volts)
800
VDS=30V
ID= 5A
6
4
2
600
Ciss
400
Coss
200
Crss
0
0
0
2
4
6
8
10
0
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
RDS(ON)
limited
10µs
10.0
10ms
1ms
1s
10s
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
0.1s
1
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
VDS (Volts)
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=40°C/W
60
20
0
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
50
10
DC
0.1
0.1
40
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
30
100µs
1.0
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
ID (Amps)
100.0
20
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
PD
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
Alpha & Omega Semiconductor,如需确认语言的准确性
Ltd.
, 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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