单 N 沟道 MOSFET ELM14440AA-N ■概要 ■特点 ELM14440AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.0A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 60 ±20 5 4 20 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A 1 A 2 Pd 2.5 1.6 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 38 50 ℃/W 69 24 80 30 ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM14440AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=48V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 60 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 20 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Rds(on) Gfs Vsd Vgs=10V, Id=5A V 2.3 Vgs=4.5V, Id=4A Vds=5V, Id=5A Is=1A, Vgs=0V 54 11 0.78 Is Ciss 450 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz Crss 60 25 Rg 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=30V, Id=5A V 55 75 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 栅极电阻 开关特性 nA A 42 Ta=125℃ 3.0 μA mΩ 75 1.00 S V 4 A 540 pF pF pF 1.65 2.00 Ω 8.5 4.3 1.6 10.5 5.5 nC nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V 2.2 5.1 2.6 7.0 4.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=6Ω, Rgen=3Ω tf 15.9 2.0 20.0 3.0 ns ns 25.1 28.7 35.0 ns nC 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=5A, dlf/dt=100A/μs If=5A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET AO4440 ELM14440AA-N ■标准特性和热特性曲线 TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL 20 15 10.0V 5.0V VDS=5V 10 4.5V 10 125°C ID(A) ID (A) 15 4.0V 5 5 25°C VGS=3.5V 0 0 1 2 3 4 0 5 2 VDS (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 3.5 4 4.5 5 2 80 Normalized On-Resistance 90 RDS(ON) (mΩ ) 3 VGS(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 100 VGS=4.5V 70 60 50 VGS=10V 40 30 20 0 5 10 15 1.8 VGS=10V ID=5A 1.6 VGS=4.5V ID=4A 1.4 1.2 1 0.8 20 0 ID (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 160 1.0E+01 ID=5A 140 1.0E+00 125°C 1.0E-01 100 IS (A) 120 RDS(ON) (mΩ ) 2.5 125°C 1.0E-02 25°C 1.0E-03 80 1.0E-04 25°C 60 1.0E-05 40 2 4 6 8 10 VGS (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.0 0.2 0.6 0.8 VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 0.4 1.0 单 N 沟道 MOSFET AO4440 ELM14440AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL 10 Capacitance (pF) 8 VGS (Volts) 800 VDS=30V ID= 5A 6 4 2 600 Ciss 400 Coss 200 Crss 0 0 0 2 4 6 8 10 0 10 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 40 RDS(ON) limited 10µs 10.0 10ms 1ms 1s 10s TJ(Max)=150°C TA=25°C 0.1s 1 10 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) VDS (Volts) Zθ JA Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA RθJA=40°C/W 60 20 0 0.001 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 50 10 DC 0.1 0.1 40 TJ(Max)=150°C TA=25°C 30 100µs 1.0 30 VDS (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) ID (Amps) 100.0 20 0.01 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 PD 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 Alpha & Omega Semiconductor,如需确认语言的准确性 Ltd. , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000