elm544634a

单 N 沟道 MOSFET
ELM544634A-N
■概要
■特点
ELM544634A-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=18A
·Rds(on) = 5.8mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) = 7.2mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
漏极电流(定常)(Tj=150℃)
Ta=25℃
Ta=70℃
30
±20
18
15
50
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
A
Pd
2.8
1.8
W
Tj, Tstg
-55 to 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
62.5
℃/W
Rθja
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
SOURCE
SOURCE
3
4
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM544634A-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
30
V
1
Ta=85℃
10
1.0
15
μA
±100
nA
2.0
V
A
Vgs=10V, Id=18A
Vgs=4.5V, Id=15A
Vds=15V, Id=10A
4.8
6.0
24
5.8
7.2
Is=10A, Vgs=0V
0.8
1.3
3.8
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=10A
Vgs=10V, Vds=15V
RL=1.5Ω, Id=10A, Rgen=1.0Ω
5-2
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2800
480
300
22
8
pF
pF
pF
42
nC
nC
7
15
30
nC
ns
12
30
10
20
50
20
ns
ns
ns
AFN4634WS
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM544634A-N
■标准特性和热特性曲线
Typical
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A May 2012
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM544634A-N
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A May 2012
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Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM544634A-N
Typical
Characteristics
■测试电路和波形
©Alfa-MOS Technology Corp.
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