elm13434ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM13434CA-S
■概要
■概要
ELM13434CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片
·Id=4.2A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=10V)
还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V)
·ESD 保护
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Vds
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
10sec
稳定状态
30
V
±20
V
4.2
3.5
3.3
2.8
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
30
1.40
0.90
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
1.00
0.64
-55~150
A
1, 6
A
2
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t ≦10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
70
最大值
90
单位
℃/W
100
125
℃/W
63
80
℃/W
1
3
■回路
D
SOT-23(俯视图)
3
1
备注
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM13434CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=30V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±16V
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
导通时漏极电流
Id(on)
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Rds(on)
Gfs
Vsd
30
1
Ta=55℃
5
10
1.00
Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=4.2A
V
1.32
1.80
30
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=4.2A
Is=1A, Vgs=0V
μA
μA
V
A
43
52
58
74
59
8.5
0.77
75
1.00
S
V
1.8
A
340
pF
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
65
41
栅极电阻
开关特性
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
1.0
1.5
Ω
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
5.70
3.00
1.37
7.20
nC
nC
nC
栅极 - 漏极电荷
Is
mΩ
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off)
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
269
Vgs=10V, Vds=15V, Id=4.2A
pF
pF
0.65
2.6
5.5
3.8
8.0
nC
ns
ns
RL=3.6Ω, Rgen=3Ω
15.2
3.7
23.0
5.5
ns
ns
If=4.2A, dlf/dt=100A/μs
If=4.2A, dlf/dt=100A/μs
15.5
7.1
21.0
ns
nC
Vgs=10V, Vds=15V
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
6. 额定电流是基于 t ≦ 10s 时的热阻评价得出的值。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
AO3434
ELM13434CA-S
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
30
20
4.5V
15
4V
9
3.5V
10
VDS=5V
12
6V
ID(A)
ID (A)
25
15
8V
10V
6
125�C
3
5
25�
VGS=3V
0
0
1
2
0
3
4
5
0
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3
4
5
6
1.8
Normalized On-Resistance
VGS=4.5V
70
RDS(ON) (mΩ
Ω)
2
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
80
60
50
40
VGS=10V
30
VGS=10V
Id=4.2A
1.6
1.4
1.2
VGS=4.5V
Id=3.5A
1
0.8
0
5
10
15
20
0
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
102
ID=4.2A
90
78
1.0E+00
125�
1.0E-01
IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1
66
125�
1.0E-02
25�C
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
54
1.0E-03
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED.
AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH
APPLICATIONS 25�
OR USES
OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
C
42
1.0E-04
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
30
2
4
6
8
1.0E-05
10
0.0
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4- 3
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1.2
AO3434
单 N 沟道 MOSFET
ELM13434CA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
500
10
VDS=15V
ID=4.2A
400
6
4
200
100
0
0
1
2
3
4
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
6
Coss
Crss
0
100.0
5
10
15
20
25
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
30
10µs
RDS(ON)
limited
25
100µs
1.0
1ms
10ms
0.1
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
20
15
10
0.1s
DC
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
Power (W)
10.0
ID (Amps)
300
2
0
5
10s
0
0.0
0.01
0.1
1
VDS (Volts)
10
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
Ciss
Capacitance (pF)
VGS (Volts)
8
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=125�C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS
PD NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Ton
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
1
10
0.01
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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