elm23400ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM23400CA-S
■概要
http://www.elm-tech.com
■特点
ELM23400CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=5.7A
·Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
30
±12
5.7
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
30
1.25
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
A
4.7
Idm
容许功耗
V
V
0.80
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
A
3
W
2
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
备注
Rθja
100
125
℃/W
1
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
G
S
Rev.1.0
3-1
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单 N 沟道 MOSFET
ELM23400CA-S
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■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=30V,Vgs=0V
Vds=24V,Vgs=0V, Ta=125℃
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=4.5V, Id=4A
Rds(on)
Vgs=2.5V, Id=3A
Gfs Vds=10V, Id=5A
Vsd
Is
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
1
10
μA
±100
nA
0.6
27
0.9
32
V
32
26
40
Vgs=Vds=0V, Force current
Ism
Rg
0.4
V
Is=1A, Vgs=0V
二极管脉冲电流
动态特性
栅极电阻
30
mΩ
4
S
1
V
2
A
30
A
4
780
54
44
pF
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
4
Ω
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=4A
18.0
0.8
nC
nC
4
4
2.8
nC
4
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A
4.5
13.0
ns
ns
4
4
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) Rgen=4Ω
tf
27.0
8.3
ns
ns
4
4
备注:
1. Rθja的值是在Ta = 25℃和静止空气环境下,使用 625mm2、70μ厚、2 层的铜板,1.6t 的 FR-4 印制电路板设
备上测试出来的。
2. 功耗 Pd 是在为 Tj(Max)=150℃和不满 10 秒的情况下,根据结合部 - 环境热阻而测试出来的。
3. 反复测量时,脉冲宽度是受温度Tj(Max)= 150℃所限制。测量时是在低频和维持最初Ta=25℃占空比的情况下
进行的。
4. 脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
Rev.1.0
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单 N 沟道 MOSFET
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PM3212NS
Normalized On Resistance (m)
ID , Continuous Drain Current (A)
30V N-Channel MOSFETs
■标准特性和热特性曲线
TJ , Junction Temperature (℃)
Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ
VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
TC , Case Temperature (℃)
Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC
TJ , Junction Temperature (℃
(℃)
Qg , Gate Charge (nC)
Fig.4 Gate Charge Waveform
ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RθJA)
Fig.3 Normalized Vth vs. TJ
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.6 Maximum Safe Operation Area
Square Wave Pulse Duration (s)
Fig.5 Normalized Transient Impedance
Ver.1.00
Rev.1.0
Powermate Electronics Corp.
3-3
3
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