单 N 沟道 MOSFET ELM23400CA-S ■概要 http://www.elm-tech.com ■特点 ELM23400CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.7A ·Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 30 ±12 5.7 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ 30 1.25 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 A 4.7 Idm 容许功耗 V V 0.80 - 55 ~ 150 Tj, Tstg A 3 W 2 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 最大值 单位 备注 Rθja 100 125 ℃/W 1 ■引脚配置图 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN G S Rev.1.0 3-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM23400CA-S http://www.elm-tech.com ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=30V,Vgs=0V Vds=24V,Vgs=0V, Ta=125℃ 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Vgs=4.5V, Id=4A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=3A Gfs Vds=10V, Id=5A Vsd Is 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 1 10 μA ±100 nA 0.6 27 0.9 32 V 32 26 40 Vgs=Vds=0V, Force current Ism Rg 0.4 V Is=1A, Vgs=0V 二极管脉冲电流 动态特性 栅极电阻 30 mΩ 4 S 1 V 2 A 30 A 4 780 54 44 pF pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 4 Ω Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=4A 18.0 0.8 nC nC 4 4 2.8 nC 4 Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A 4.5 13.0 ns ns 4 4 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) Rgen=4Ω tf 27.0 8.3 ns ns 4 4 备注： 1. Rθja的值是在Ta = 25℃和静止空气环境下，使用 625mm2、70μ厚、2 层的铜板，1.6t 的 FR-4 印制电路板设 备上测试出来的。 2. 功耗 Pd 是在为 Tj(Max)=150℃和不满 10 秒的情况下，根据结合部 - 环境热阻而测试出来的。 3. 反复测量时，脉冲宽度是受温度Tj(Max)= 150℃所限制。测量时是在低频和维持最初Ta=25℃占空比的情况下 进行的。 4. 脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 Rev.1.0 3-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM23400CA-S http://www.elm-tech.com PM3212NS Normalized On Resistance (m) ID , Continuous Drain Current (A) 30V N-Channel MOSFETs ■标准特性和热特性曲线 TJ , Junction Temperature (℃) Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ VGS , Gate to Source Voltage (V) Normalized Gate Threshold Voltage (V) TC , Case Temperature (℃) Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC TJ , Junction Temperature (℃ (℃) Qg , Gate Charge (nC) Fig.4 Gate Charge Waveform ID , Continuous Drain Current (A) Normalized Thermal Response (RθJA) Fig.3 Normalized Vth vs. TJ VDS , Drain to Source Voltage (V) Fig.6 Maximum Safe Operation Area Square Wave Pulse Duration (s) Fig.5 Normalized Transient Impedance Ver.1.00 Rev.1.0 Powermate Electronics Corp. 3-3 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。