elm33400ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM33400CA-S
■概要
■特点
ELM33400CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=6A
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
±12
V
记号
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
6
5
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
30
1.25
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
A
A
W
0.80
Tj, Tstg
3
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
典型值
最大值
单位
Rθja
75
100
℃/W
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
引脚名称
1
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM33400CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=70℃
10
Vds=0V, Vgs=±12V
nA
1.4
V
A
1
mΩ
1
1.3
S
V
1
1
Is
1.3
A
Ism
30
A
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=10V, Id=6A
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=5A
Vgs=2.5V, Id=4A
二极管脉冲电流
动态特性
输入电容
μA
±100
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
寄生二极管最大连续电流
V
Vds=24V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
二极管正向压降
30
Gfs
Vsd
0.7
30
Vds=5V, Id=5A
If=Is, Vgs=0V
1.1
23
27
43
28
32
52
15
Ciss
740
pF
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
90
66
pF
pF
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=5A
8.0
3.6
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A
2.0
8
6
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) Rgen=0.2Ω
tf
19
7
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
12.0
3
nC
nC
2
2
14
12
nC
ns
ns
2
2
2
45
23
ns
ns
2
2
P3203CMG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
SOT-23
Lead-Free
单 N 沟道 MOSFET
ELM33400CA-S
■标准特性和热特性曲线
10V
R , Normalized
Drain-source on-resistance
25
3V
20
4.5V
2.5V
15
10
DS(ON)
ID, Drain current(A)
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
On-Region Characteristics.
VGS=2V
5
0
0
2
3
4
VGS, Gate to Source Voltage(V)
VGS= 2.5V
2
1.75
1.5
4.5V
1.25
10V
1
0.75
5
1
2.25
0
4
ID, Drain Current(A)
0.8
12
8
125° C
0
25
50
75
100
125
0
150
TJ, Junction Temperature(°C)
25° C
Is, Reverse Drain Current (A)
ID=5A
125° C
0.04
0.03
25° C
0.02
0
2
4
6
8
VGS, Gate to Source Voltage(V)
0.5
1
2.5
2
1.5
3
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
0.06
0.05
0
V GS , Gate to Source Voltage(V)
On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0.07
0.01
V DS =5V
15
4
-25
20
20
ID= 5A
VGS= 4.5V
1
0.6
-50
16
Transfer Characteristics.
1.2
RDS(ON), On-resistance(� )
DS(ON)
R , Normalized
Drain-source on-resistance
1.4
12
ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Temperature.
1.6
8
100
10
TA= 125°C
1
-55°C
25°C
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
10
VGS= 0V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
3
4-3
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1.2
Mar-22-2006
P3203CMG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
SOT-23
单 N 沟道 MOSFET
Lead-Free
ELM33400CA-S
Gate-Charge Characteristics
Capacitance Characteristics
1100
VGS, Gate-Source Voltage(V)
5
VDS= 5V
ID = 5A
f =1MHz
VGS=0 V
900
Capacitance(pF)
4
10V
3
2
1
Ciss
700
500
300
Coss
Crss
100
0
0
2
4
6
8
0
10
Qg Gate Charge (nC)
0
12
16
20
VDS, Drain to Source Voltage(V)
Maxmum Safe Operating Area.
Single Puise Maximum Power Dissipation.
100
20
RDS(ON) LIMIT
1ms
10
10ms
100ms
1
10s
DC
1s
VGS =4.5V
SINGLE PULSE
R� JA=100°C/W
TA=25°C
0.1
0.01
0.1
SINGLE PULSE
R� JA=100°C/W
TA=25° C
15
Power (W)
ID,Drain Current(A)
8
4
12
8
4
1
10
0
100
0.0001
VGS,Drain-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Single Pulse Time(SEC)
1
0.5
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
R¿ JA(t) = r(t) * R¿
R¿ JA=100° C/W
0.1
0.05
0.02
0.01
t1
Single Pulse
t2
0.005
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.002
0.001
0.0001
��
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transisent Thermal Response Curve.
0.001
0.01
0.1
Time(SEC)
1
4
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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