单 N 沟道 MOSFET ELM33400CA-S ■概要 ■特点 ELM33400CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=6A ·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 ±12 V 记号 Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 6 5 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 30 1.25 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 A A W 0.80 Tj, Tstg 3 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 典型值 最大值 单位 Rθja 75 100 ℃/W ■引脚配置图 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 引脚名称 1 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM33400CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=70℃ 10 Vds=0V, Vgs=±12V nA 1.4 V A 1 mΩ 1 1.3 S V 1 1 Is 1.3 A Ism 30 A 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=10V, Id=6A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=5A Vgs=2.5V, Id=4A 二极管脉冲电流 动态特性 输入电容 μA ±100 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 寄生二极管最大连续电流 V Vds=24V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 二极管正向压降 30 Gfs Vsd 0.7 30 Vds=5V, Id=5A If=Is, Vgs=0V 1.1 23 27 43 28 32 52 15 Ciss 740 pF 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 90 66 pF pF 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=5A 8.0 3.6 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A 2.0 8 6 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) Rgen=0.2Ω tf 19 7 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 12.0 3 nC nC 2 2 14 12 nC ns ns 2 2 2 45 23 ns ns 2 2 P3203CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 Lead-Free 单 N 沟道 MOSFET ELM33400CA-S ■标准特性和热特性曲线 10V R , Normalized Drain-source on-resistance 25 3V 20 4.5V 2.5V 15 10 DS(ON) ID, Drain current(A) On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. On-Region Characteristics. VGS=2V 5 0 0 2 3 4 VGS, Gate to Source Voltage(V) VGS= 2.5V 2 1.75 1.5 4.5V 1.25 10V 1 0.75 5 1 2.25 0 4 ID, Drain Current(A) 0.8 12 8 125° C 0 25 50 75 100 125 0 150 TJ, Junction Temperature(°C) 25° C Is, Reverse Drain Current (A) ID=5A 125° C 0.04 0.03 25° C 0.02 0 2 4 6 8 VGS, Gate to Source Voltage(V) 0.5 1 2.5 2 1.5 3 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. 0.06 0.05 0 V GS , Gate to Source Voltage(V) On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0.07 0.01 V DS =5V 15 4 -25 20 20 ID= 5A VGS= 4.5V 1 0.6 -50 16 Transfer Characteristics. 1.2 RDS(ON), On-resistance(� ) DS(ON) R , Normalized Drain-source on-resistance 1.4 12 ID, Drain Current(A) On-Resistance Variation with Temperature. 1.6 8 100 10 TA= 125°C 1 -55°C 25°C 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 10 VGS= 0V 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 3 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 Mar-22-2006 P3203CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 单 N 沟道 MOSFET Lead-Free ELM33400CA-S Gate-Charge Characteristics Capacitance Characteristics 1100 VGS, Gate-Source Voltage(V) 5 VDS= 5V ID = 5A f =1MHz VGS=0 V 900 Capacitance(pF) 4 10V 3 2 1 Ciss 700 500 300 Coss Crss 100 0 0 2 4 6 8 0 10 Qg Gate Charge (nC) 0 12 16 20 VDS, Drain to Source Voltage(V) Maxmum Safe Operating Area. Single Puise Maximum Power Dissipation. 100 20 RDS(ON) LIMIT 1ms 10 10ms 100ms 1 10s DC 1s VGS =4.5V SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25°C 0.1 0.01 0.1 SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25° C 15 Power (W) ID,Drain Current(A) 8 4 12 8 4 1 10 0 100 0.0001 VGS,Drain-Source Voltage(V) 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Single Pulse Time(SEC) 1 0.5 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.2 R¿ JA(t) = r(t) * R¿ R¿ JA=100° C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 t1 Single Pulse t2 0.005 TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.002 0.001 0.0001 �� P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transisent Thermal Response Curve. 0.001 0.01 0.1 Time(SEC) 1 4 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10 100 Mar-22-2006 300