elm33414ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM33414CA-S
■概要
■特点
ELM33414CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内
·Id=300mA
·Rds(on) < 2Ω (Vgs=10V)
藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 3Ω (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 5Ω (Vgs=3.5V)
·ESD 规格∶ 2000V HBM
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Vds
Vgs
Ta=25℃
漏极电流（定常）
60
±20
300
Id
Ta=100℃
漏极电流（脉冲）
Tc=25℃
结合部温度及保存温度范围
A
0.35
Pd
Tc=100℃
mA
190
1
Idm
容许功耗
V
V
Tj, Tstg
3
W
0.14
-40 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
350
备注
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
单位
℃/W
2
引脚编号
引脚名称
1
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
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单 N 沟道 MOSFET
ELM33414CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=100μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=40V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±16V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=100μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=10V, Id=200mA
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=100mA
Vgs=3.5V, Id=10mA
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
关闭延迟时间
Gfs
Vsd
Is
V
Vds=48V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
二极管正向压降
60
1.0
1
Vds=20V, Id=200mA
If=200mA, Vgs=0V
1.8
1.6
1.7
2.1
±30
μA
2.5
V
A
1
Ω
1
1.2
S
V
1
1
300
mA
2.0
3.0
5.0
0.18
If=200mA, Vgs=0V
μA
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
36
10
pF
pF
Crss
6
pF
Qg
1.6
nC
2
0.2
1.0
nC
nC
2
2
30
125
ns
ns
2
2
Qgs
Qgd
Vgs=10V, Vds=30V, Id=200mA
td(on) Vds=30V, Vgs=10V
td(off) Id=200mA, Rgen=10Ω
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM33414CA-S
N-Channel Logic Level Enhancement
■标准特性和热特性曲线 Mode Field Effect Transistor
NIKO-SEM
Output Characteristics
VGS=10V
VGS=9 V
VGS=8 V
VGS=7 V
VGS=6 V
VGS=5 V
6.0E-01
VGS =3.5V
4.0E-01
2.0E-01
0.0E+00
0
1
2
3
4
0.6
0.4
25�
0.2
0
5
1
1.5
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
2.0
45
RDS(ON) �
1.8
40
RDS(ON) �
1.6
RDS(ON) �
1.4
RDS(ON) �
1.2
RDS(ON) �
1.0
RDS(ON) �
0.8
RDS(ON) �
0.6
RDS(ON) �
0.4
V GS=10V
ID=200m A
0
25
50
75
100
TJ , Junction Temperature(C)
125 150
4
CISS
30
25
20
15
COSS
10
CRSS
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0E+03
VDS=30V
ID =0.2A
1.0E+02
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
3.5
5
Gate charge Characteristics
10
3
35
0
-25
2.5
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
-50
2
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
C , Capacitance(pF)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
RDS(ON) �
SOT-23(S)
Halogen-Free & Lead-Free
Transfer Characteristics
0.8
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
8.0E-01
PZ2N7002M
1.0E+01
6
1.0E+00
4
T J =150° C
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
2
0
1.0E-03
1.0E-04
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
Qg , Total Gate Charge(nC)
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
C-40-4
REV 0.93
3
4-3
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1.3
单 N 沟道 MOSFET
N-ChannelELM33414CA-S
Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
NIKO-SEM
Safe Operating Area
10
PZ2N7002M
SOT-23(S)
Halogen-Free & Lead-Free
Single Pulse Maximum Power Dissipation
20
Operation in This
Area is Lim ited by
RDS(ON)
1m s
0.1
10m s
5
1S
10S
DC
0
0.001
1
10
0.001
100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
0.01
0.1
1
10
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
r(t) , Normalized Effective
10
100m s
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TA=25� C
3.R�JA = 350� C/W
4.Single Pulse
0.01
SINGLE PULSE
R�JA = 350� C/W
TA=25� C
15
�
Power(W)
ID , Drain Current(A)
1
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
Note
0.2
1.00E-01
0.1
0.05
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA =350 oC/W
3.TJ-TA = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJA
0.02
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
C-40-4
REV 0.93
4
4-4
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