elm53402ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM53402CA-S
■概要
■特点
ELM53402CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3.6A
·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 80mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(Tj=150℃)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
20
V
±12
3.6
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
2.0
Idm
容许功耗
V
10
A
1.25
W
0.80
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
120
℃/W
Rθja
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5-1
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单 N 沟道 MOSFET
ELM53402CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
1
Vds=16V,Vgs=0V, Ta=85℃
10
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=4.5V, Vds=5V
Id(on)
Vgs=2.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=2.4A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=2.0A
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=1.6A, Vgs=0V
Ciss
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
关闭延迟时间
关闭下降时间
0.3
6
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3.6A
Qgd
td(on)
Vgs=4.5V, Vds=10V
tr
RL=2.8Ω, Id=3.6A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
5-2
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μA
±100
nA
0.8
V
A
4
56
66
70
80
86
10
100
0.85
1.20
V
1.6
A
Is
输出电容
反馈电容
开关特性
导通延迟时间
导通上升时间
V
Vds=16V,Vgs=0V
Vgs=1.8V, Id=1.8A
Vds=5V, Id=3.6A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
20
mΩ
S
340
pF
115
33
pF
pF
4.2
0.6
5.0
nC
nC
0.4
8
8
15
15
nC
ns
ns
25
8
40
15
ns
ns
AFN3414A
Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
Technology
ELM53402CA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B July 2010
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Alfa-MOS
20V N-Channel
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Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
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Typical Characteristics
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Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
单 N 沟道 MOSFET
ELM53402CA-S
Typical■测试电路和波形
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
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