elm53404ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM53404CA-S
■概要
■特点
ELM53404CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3.6A
·Rds(on) < 82mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 108mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(Tj=150℃)
30
±12
3.6
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
2.0
10
Idm
容许功耗
V
V
A
1.25
0.80
- 55 ~ 150
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
120
℃/W
Rθja
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM53404CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=30V,Vgs=0V, Ta=85℃
30
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=30V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
30
1.0
30
μA
±100
nA
2.5
V
A
Vgs=10V, Id=2.6A
Vgs=4.5V, Id=2.0A
Vds=10V, Id=6.1A
72
95
20
82
108
Is=1.7A, Vgs=0V
0.8
1.2
1.6
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
280
40
20
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.6A
2.3
1.0
pF
pF
pF
3.0
nC
nC
导通延迟时间
Qgd
td(on)
0.6
10
15
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V , RL=15Ω
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
tf
12
15
10
20
25
15
ns
ns
ns
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AFN2304A
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM53404CA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B July 2010
www.alfa-mos.com
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AFN2304A
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
ELM53404CA-S
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
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