elm53406ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM53406CA-S
■概要
■特点
ELM53406CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3.6A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 78mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
60
V
±20
V
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(Tj=150℃)
漏极电流(脉冲)
Id
3.6
2.8
A
Idm
10
A
Tc=25℃
容许功耗
1.25
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
W
0.80
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
120
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
单位
℃/W
2
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
G
S
5-1
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单 N 沟道 MOSFET
ELM53406CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=48V,Vgs=0V, Ta=85℃
10
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=48V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
60
Vgs=10V, Id=3.6A
Vgs=4.5V, Id=2.8A
Vds=15V, Id=3.2A
1.0
6
μA
±100
nA
2.0
V
A
55
60
15
70
78
Is=2.5A, Vgs=0V
0.85
1.20
1.6
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
400
40
20
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=30V, Id=3.2A
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
RL=12Ω, Id=2.5A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=10V, Vds=30V
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
6.0
1.5
pF
pF
pF
12.0
nC
nC
1.2
8
15
nC
ns
10
25
10
20
40
20
ns
ns
ns
AFN2376
Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM53406CA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2012
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
单 N 沟道 MOSFETEnhancement Mode MOSFET
ELM53406CA-S
Typical Characteristics
Typical
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
单 N 沟道 MOSFET
ELM53406CA-S
Characteristics
■测试电路和波形
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