elm16402ea

单 N 沟道 MOSFET
ELM16402EA-S
■概要
■特点
ELM16402EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=6.9A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±20
V
6.9
5.8
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
20
2.00
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
1
A
2
W
1.44
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
1
5
2
最大值
62.5
单位
℃/W
74.0
35.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
典型值
48.0
4
3
引脚编号
1
2
引脚名称
DRAIN
DRAIN
3
4
5
GATE
SOURCE
DRAIN
6
DRAIN
4- 1
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D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM16402EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
30
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
20
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Vgs=10V
Rds(on) Id=6.9A
Gfs
Vsd
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=6.9A
Is=1A
10.0
1.9
22.5
28.0
31.3
38.0
34.5
15.4
0.76
42.0
Is
Ciss
680
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
102
77
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A
nA
V
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
3.0
μA
mΩ
1.00
S
V
3
A
820
pF
pF
pF
3.0
3.6
Ω
13.84
6.74
1.82
16.70
8.10
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
3.20
4.6
4.1
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
20.6
5.2
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
16.5
7.8
20.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4- 2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM16402EA-S
■标准特性和热特性曲线
10V
25
20
6V
5V
4.5V
Id (A)
20
15
3.5V
10
12
8
125°C
4
Vgs=3V
5
Vds=5V
16
4V
Id(A)
30
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
1.6
Normalized On-Resistance
60
50
Rds(on) (m� )
1.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=4.5V
40
30
20
Vgs=10V
1.5
Vgs=10V
Id=5A
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
10
0
5
10
15
0
20
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
70
1.0E+01
60
1.0E+00
Id=5A
50
Is Amps
Rds(on) (m� )
1
125°C
40
1.0E-01
1.0E-02
125°C
1.0E-03
30
25°C
20
25°C
1.0E-04
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
4- 3
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1.0
单 N 沟道 MOSFET
ELM16402EA-S
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=6.9A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
100�s
10ms
1s
DC
1
0.1
10
100
Vds (Volts)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
30
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
10
10s
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
10�s
0.1s
1
15
40
Power W
Id (Amps)
1ms
10
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4- 4
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100
1000
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