单 N 沟道 MOSFET ELM16408EA-S ■概要 ■特点 ELM16408EA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内 ·Id=8.8A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V) 藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=1.8V) ·ESD 规格∶ 2000V HBM ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 20 ±12 8.8 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 7.0 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V V 40 2.00 1.28 - 55 ~ 150 A 1 A 2 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 1 5 2 最大值 62.5 单位 ℃/W 74.0 37.0 110.0 40.0 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 典型值 47.5 4 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 DRAIN DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM16408EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±10V 20 10 Ta=55℃ 25 ±10 栅极 - 源极击穿电压 BVgso Vds=0V, Ig=±250μA ±12 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 0.50 40 1.00 14.4 18.0 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=8A Vgs=2.5V, Id=6A 18.5 16.0 20.5 23.0 20.0 25.0 Vgs=1.8V, Id=4A Vds=5V, Id=8.8A Is=1A 25.6 33 0.72 32.0 正向跨导 二极管正向压降 Gfs Vsd Ta=125℃ 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 Is Ciss 1810 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 232 200 栅极电阻 开关特性 Rg 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz μA μA V 0.75 Vgs=10V Id=8.8A 漏极 - 源极导通电阻 V V A mΩ 1.00 S V 3 A 2200 pF pF pF 1.6 2.2 Ω 17.9 22.0 nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=8.8A Qgd td(on) 1.5 4.7 3.3 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 tr Vgs=10V, Vds=10V td(off) RL=1.1Ω, Rgen=3Ω 5.9 44.0 ns ns ns ns 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 tf trr If=8.8A, dlf/dt=100A/μs 7.7 22.0 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=8.8A, dlf/dt=100A/μs 9.8 27.0 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM16408EA-S ■标准特性和热特性曲线 40 10V 20 4.5V 2V 2.5V Id(A) Id (A) Vds=5V 16 30 20 12 125°C 8 10 4 Vgs=1.5V 0 0 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 0 5 40 0.5 1 1.5 2 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 2.5 1.6 Vgs=2.5V,6A 30 Normalized On-Resistance Vgs=1.8V Rds(on) (m� ) 25°C Vgs=4.5V 20 0 0 5 10 15 Vgs=1.8V, 4A 1.2 Vgs=10V 10 Vgs=4.5V, 8A 1.4 Vgs=2.5V Vgs=10V, 8.8A 1 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 40 1.0E+00 Id=6A 125°C 1.0E-01 125°C Is (A) Rds(on) (m� ) 30 20 1.0E-02 25°C 25°C 1.0E-03 10 1.0E-04 0 0 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM16408EA-S 5 2800 Vds=10V Id=8.8A 2400 Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 2000 1200 Coss 800 1 Crss 400 0 0 0 4 8 12 16 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 20 100.0 Rds(on) limited 100�s 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 0 0.001 1 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 DC 10 20 10s 0.1 0.1 10 15 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 1ms Power (W) 10.0 5 40 10�s Id (Amps) Ciss 1600 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000