elm16408ea

单 N 沟道 MOSFET
ELM16408EA-S
■概要
■特点
ELM16408EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内
·Id=8.8A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V)
藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=1.8V)
·ESD 规格∶ 2000V HBM
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
20
±12
8.8
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
7.0
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
V
V
40
2.00
1.28
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
1
5
2
最大值
62.5
单位
℃/W
74.0
37.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
典型值
47.5
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM16408EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±10V
20
10
Ta=55℃
25
±10
栅极 - 源极击穿电压
BVgso Vds=0V, Ig=±250μA
±12
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
0.50
40
1.00
14.4
18.0
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=8A
Vgs=2.5V, Id=6A
18.5
16.0
20.5
23.0
20.0
25.0
Vgs=1.8V, Id=4A
Vds=5V, Id=8.8A
Is=1A
25.6
33
0.72
32.0
正向跨导
二极管正向压降
Gfs
Vsd
Ta=125℃
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Is
Ciss
1810
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
232
200
栅极电阻
开关特性
Rg
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
μA
μA
V
0.75
Vgs=10V
Id=8.8A
漏极 - 源极导通电阻
V
V
A
mΩ
1.00
S
V
3
A
2200
pF
pF
pF
1.6
2.2
Ω
17.9
22.0
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=8.8A
Qgd
td(on)
1.5
4.7
3.3
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
Vgs=10V, Vds=10V
td(off) RL=1.1Ω, Rgen=3Ω
5.9
44.0
ns
ns
ns
ns
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
tf
trr
If=8.8A, dlf/dt=100A/μs
7.7
22.0
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=8.8A, dlf/dt=100A/μs
9.8
27.0
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM16408EA-S
■标准特性和热特性曲线
40
10V
20
4.5V
2V
2.5V
Id(A)
Id (A)
Vds=5V
16
30
20
12
125°C
8
10
4
Vgs=1.5V
0
0
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
0
5
40
0.5
1
1.5
2
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
2.5
1.6
Vgs=2.5V,6A
30
Normalized On-Resistance
Vgs=1.8V
Rds(on) (m� )
25°C
Vgs=4.5V
20
0
0
5
10
15
Vgs=1.8V, 4A
1.2
Vgs=10V
10
Vgs=4.5V, 8A
1.4
Vgs=2.5V
Vgs=10V, 8.8A
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
40
1.0E+00
Id=6A
125°C
1.0E-01
125°C
Is (A)
Rds(on) (m� )
30
20
1.0E-02
25°C
25°C
1.0E-03
10
1.0E-04
0
0
2
4
6
8
1.0E-05
10
0.0
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4- 3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM16408EA-S
5
2800
Vds=10V
Id=8.8A
2400
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
2000
1200
Coss
800
1
Crss
400
0
0
0
4
8
12
16
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
20
100.0
Rds(on)
limited
100�s
10ms
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
0
0.001
1
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
DC
10
20
10s
0.1
0.1
10
15
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
1ms
Power (W)
10.0
5
40
10�s
Id (Amps)
Ciss
1600
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4- 4
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100
1000
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