elm26400ea

单 N 沟道 MOSFET
ELM26400EA-S
■概要
http://www.elm-tech.com
■特点
ELM26400EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=6.5A
·Rds(on) ≦ 24mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) ≦ 34mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±20
漏极电流(脉冲)
Idm
6.5
4.1
26
单脉冲持续崩溃能量
单脉冲崩溃电流
容许功耗
Eas
Ias
Pd
Tj, Tstg
漏极电流(定常)
Id
Tc=25℃
结合部温度及保存温度范围
V
A
A
1
32
8
1.56
mJ
A
W
2
2
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
Rθja
-
80
℃/W
■引脚配置图
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
1
5
2
备注
4
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
SOURCE
3
4
5
GATE
DRAIN
SOURCE
6
DRAIN
D
G
S
Rev.1.0
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM26400EA-S
■电特性
项目
记号
条件
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如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss 温度系数
栅极接地时漏极电流
栅极漏电电流
栅极阈值电压
Vgs(th) 温度系数
漏极 - 源极导通电阻
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
△BVdss
25℃,参考 Id=1mA
△Tj
Idss
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
二极管脉冲电流
Vsd
Is
Ism
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
Rg
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
tr
关闭延迟时间
td(off)
tf
trr
Qrr
V/℃
1
Vds=24V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
1.2
Vgs=10V, Id=6A
Vgs=4.5V, Id=4A
Vds=10V, Id=4A
1.6
±100
2.5
-4
19
25
6.5
Is=1A, Vgs=0V
μA
nA
V
mV/℃
24
34
mΩ
3
S
1
6.5
26.0
V
A
A
345
500
pF
Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
55
32
80
45
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
3.2
6.4
Ω
4.1
8.0
nC
3,4
1.0
2.1
2.0
4.0
nC
nC
3,4
3,4
2.8
5.0
ns
3,4
Vgs=10V, Vds=15V
7.2
14.0
ns
3,4
Id=1A, Rgen=6Ω
15.8
30.0
ns
3,4
4.6
9.0
ns
ns
nC
3,4
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=6A
td(on)
导通上升时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
0.04
Qg
Qgs
Qgd
V
Vds=30V,Vgs=0V,Ta=25℃
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th)
Vds=Vgs, Id=250μA
△Vgs(th)
正向跨导
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
30
Vgs=0V, Is=1A
di/dt=100A/μs, Tj=25℃
3
3
备注:
1.脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
2. Vdd=25V, Vgs=10V, L=1mH, Ias=8A, Rg=25Ω, 启动时 Tj=25℃。
3. 脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
4. 工作温度是独立的。
Rev.1.0
4- 2
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PM3312Q
TJ , Junction Temperature (℃)
TC , Case Temperature (℃)
Continuous Drain Current vs. TC
Fig.2
TJ , Junction Temperature (℃)
Fig.5
Qg , Gate Charge (nC)
Normalized Vth vs. TJ
Fig.4
Gate Charge Waveform
ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RΘJA)
Fig.3
Normalized RDSON vs. TJ
VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
Fig.1
Normalized On Resistance (m)
ID , Continuous Drain Current (A)
■标准特性和热特性曲线
30V
N-Channel MOSFETs
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Transient Response
Fig.6
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Maximum Safe Operation Area
Ver.1.00
Rev.1.0
Powermate Electronics Corp.
4- 3 3
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单 N 沟道 MOSFET
ELM26400EA-S
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PM3312Q
30V N-Channel MOSFETs
VDS
EAS=
90%
Td(on)
Tr
Ton
Fig.7
Td(off)
BVDSS
BVDSS-VDD
BVDSS
VDD
IAS
10%
VGS
1
L x IAS2 x
2
Tf
Toff
Switching Time Waveform
VGS
Fig.8
EAS Waveform
Ver.1.00
Rev.1.0
Powermate Electronics Corp.
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