elm36400ea

单 N 沟道 MOSFET
ELM36400EA-S
■概要
■特点
ELM36400EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=7A
·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
±20
7
5
V
20
1.6
1.2
A
A
3
W
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
典型值
最大值
30
单位
℃/W
78
℃/W
■引脚配置图
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
1
5
2
备注
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM36400EA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=24V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
30
1.0
20
Vgs=10V, Id=7A
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=7A
1.5
23
32
14.4
If=1A, Vgs=0V
μA
±100
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
27
40
1.1
3
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
680
140
70
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
10.0
1.7
Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A
pF
pF
pF
15.0
nC
nC
2
2
导通延迟时间
Qgd
td(on)
2.1
8.0
nC
ns
2
2
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=10V , Id=1A
td(off) Rgen=6Ω
tf
4.0
22.0
5.0
ns
ns
ns
2
2
2
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P2703BAG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
N 沟道
MOSFET
Field单
Effect
Transistor_Preliminary
TSOP-6
Lead-Free
ELM36400EA-S
I ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A )
■标准特性和热特性曲线
0
I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A )
100
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH
SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
VGS= 0V
10
TA = 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.8
0.2
1.0
1.2
0.4
0.6
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.4
AUG-12-2005
单 N 沟道 MOSFET
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM36400EA-S
Field Effect
Transistor_Preliminary
NIKO-SEM
TSOP-6
Lead-Free
TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE
1
D=0.5
10
0
0.20
0.10
10
10
10
10
-1
-2
0.05
0.02
0.01
Single pulse
P(pk)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE
10
P2703BAG
t1
-3
t2
1.R� JC (t)=r(t)*R
2.R � JC = 156° C/W
3.T j + TC = P * R� JC (t)
t1
4.Duty Cycle,D =
t2
-4
10
-4
10
-3
10
-2
-1
10
10
t1 , TIME( ms )
0
10
1
10
2
10
3
4 -4 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AUG-12-2005
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