elm5j400ra

单 N 沟道 MOSFET
ELM5J400RA-S
■概要
■特点
ELM5J400RA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=5.6A
·Rds(on) = 72mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) = 95mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
30
V
±20
5.6
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
3.6
Idm
容许功耗
V
10
A
1.45
W
0.60
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
Rθja
■引脚配置图
最大值
单位
120
℃ /W
■电路图
D
SOT-89(俯视图)
1
2
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
G
S
5-1
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单 N 沟道 MOSFET
ELM5J400RA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=30V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=4.5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
30
V
1
Ta=85℃
30
1.0
6
μA
±100
nA
2.5
V
A
Vgs=10V, Id=5.6A
Vgs=4.5V, Id=3.6A
Vds=15V, Id=4.8A
62
85
11
72
95
Is=2.7A, Vgs=0V
0.8
1.2
1.6
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
230
50
20
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.2A
Vgs=4.5V, Vds=15V
RL=5.6Ω, Id=3.2A, Rgen=1Ω
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
2.00
0.80
pF
pF
pF
3.60
nC
nC
0.65
10
12
nC
ns
45
12
20
60
18
30
ns
ns
ns
AFN8904
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
ELM5J400RA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev. B Dec. 2010
www.alfa-mos.com
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30V N-Channel
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Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
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Enhancement Mode MOSFET
Technology
单 N 沟道 MOSFET
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■测试电路和波形
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