elm5e400pa

单 N 沟道 MOSFET
ELM5E400PA-S
■概要
■特点
ELM5E400PA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=0.7A
·Rds(on) = 360mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) = 420mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) = 560mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
■引脚配置图
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
20
±12
0.7
V
V
A
0.4
1.0
A
0.27
℃
■电路图
SOT-523(俯视图)
3
1
W
0.16
-55 to 150
2
D
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM5E400PA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=20V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=4.5V, Id=0.6A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.5A
Vgs=1.8V, Id=0.4A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Gfs
Vsd
20
V
1
Ta=85℃
Vds=10V, Id=0.4A
Is=0.15A, Vgs=0V
5
0.4
0.7
240
300
420
1
0.65
Is
Ciss
Coss
μA
±100
nA
1.0
V
A
360
420
560
mΩ
1.20
S
V
0.3
A
70
20
pF
pF
Crss
8
pF
Qg
1.06
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
td(on)
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.6A
Vgs=4.5V, Vds=10V
RL=20Ω, Id=0.5A, Rgen=1Ω
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.38
0.18
0.32
nC
nC
nC
18
20
70
26
28
110
ns
ns
ns
25
40
ns
AFN1012
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
ELM5E400PA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
www.alfa-mos.com
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20V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
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Typical Characteristics
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Rev.A Oct. 2010
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Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
单 N 沟道 MOSFET
ELM5E400PA-S
Typical■测试电路和波形
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
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