elm51402fa

单 N 沟道 MOSFET
ELM51402FA-S
■概要
■特点
ELM51402FA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=1.0A
·Rds(on) = 280mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) = 340mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) = 680mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
20
V
±12
1.0
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
0.6
Idm
容许功耗
V
6
A
0.35
W
0.22
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
Rθja
■引脚配置图
最大值
单位
120
℃ /W
■电路图
D
SC-70(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM51402FA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=4.5V, Id=1.8A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A
Vgs=1.8V, Id=1.2A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Gfs
Vsd
20
V
1
Ta=85℃
Vds=10V, Id=1.0A
Is=1.0A, Vgs=0V
5
0.4
1.0
240
300
600
1
0.65
Is
Ciss
Coss
μA
±100
nA
1.0
V
A
280
340
680
mΩ
1.20
S
V
1.0
A
70
20
pF
pF
Crss
8
pF
Qg
1.06
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
td(on)
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=1.2A
Vgs=4.5V, Vds=10V
RL=20Ω, Id=1.2A, Rgen=1Ω
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.38
0.18
0.32
nC
nC
nC
18
20
70
26
28
110
ns
ns
ns
25
40
ns
AFN1304
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
ELM51402FA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
Technology
ELM51402FA-S
Typical Characteristics
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20V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM51402FA-S
Typical
Characteristics
■测试电路和波形
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