elm51404fa

单 N 沟道 MOSFET
ELM51404FA-S
■概要
■特点
ELM51404FA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电
·Vds=30V
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3.6A
·Rds(on) = 82mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) = 90mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) = 102mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
漏极电流 ( 定常 )（Tj=150℃）
Ta=25℃
Ta=70℃
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
30
V
Id
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
±12
3.6
2.6
V
10
0.35
A
A
W
0.22
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
120
■电路图
D
SC-70(俯视图)
3
1
单位
℃/W
2
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
5-1
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G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM51404FA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=10V, Id=3.6A
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=3.0A
Vgs=2.5V, Id=2.2A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Gfs
Vsd
30
V
1
Ta=85℃
Vds=10V, Id=6.1A
Is=1.7A, Vgs=0V
30
0.3
30
77
82
93
20
0.8
Is
Ciss
Coss
μA
±100
nA
1.2
V
A
82
90
102
mΩ
1.2
S
V
1.6
A
280
40
pF
pF
Crss
20
pF
Qg
2.3
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
td(on)
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.6A
Vgs=10V, Vds=15V
Id=1.0A, RL=15Ω
Rgen=6Ω
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
3.0
1.0
0.6
nC
nC
nC
10
12
15
15
20
25
ns
ns
ns
10
15
ns
AFN7400
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM51404FA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Dec. 2011
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30V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
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Enhancement Mode MOSFET
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■测试电路和波形
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