elm3c0660a

单 N 沟道 MOSFET
ELM3C0660A
■概要
■特点
ELM3C0660A 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=600V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=6A
· Rds(on) < 1.25Ω (Vgs=10V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
漏极 - 源极电压
Vds
600
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±30
6.0
4.3
V
A
4
Idm
Eas
20
45
A
mJ
3, 4
5
Pd
24
10
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
崩溃能量
L=10mH
Id
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθjc
Rθja
典型值
最大值
5.2
单位
℃ /W
62.5
℃ /W
■引脚配置图
■电路图
D
TO-220F(俯视图)
1
2
备注
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
6-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM3C0660A
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
600
V
Vds=600V, Vgs=0V, Ta=25℃
25
Vds=600V, Vgs=0V, Ta=100℃
250
Vds=0V, Vgs=±30V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vds=10V, Vgs=10V
2.5
20
Rds(on) Vgs=10V, Id=3A
Gfs Vds=10V, Id=3A
Vsd If=10A, Vgs=0V
0.98
8
Is
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off)
tf
trr
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=300V, Id=6A
Vds=300V, Id=6A, Rgen=25Ω
If=6A, dIf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 只限于最大允许温度
5. Vdd=50V时, 开始Tj=25℃
6-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
μA
±250
nA
4.5
V
A
1
1.5
Ω
S
V
1
1
1
6
A
3
1.25
1274
pF
126
23
pF
pF
28.9
5.8
10.0
nC
nC
nC
2
2
2
47
32
ns
ns
2
2
140
55
560
ns
ns
ns
2
2
6
μC
单 N 沟道 MOSFET
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ELM3C0660A
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6-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
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6-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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6-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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ELM3C0660A
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6-6
 ELM 的英文版或日文版。
如需确认语言的准确性 , 请参考
 
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