elm3c0850a

单 N 沟道 MOSFET
ELM3C0850A
■概要
■特点
ELM3C0850A 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=500V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=8A
· Rds(on) < 0.85Ω (Vgs=10V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
漏极 - 源极电压
Vds
500
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±30
8
5
V
A
4
Idm
Ias
34
6.8
A
A
3, 4
5
Eas
232
43
mJ
5
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
崩溃能量
L=10mH
Tc=25℃
容许功耗
Id
Pd
Tc=100℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
W
17
-55 to 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
Rθja
最大结合部 - 环境热阻
典型值
最大值
单位
2.9
62.5
℃ /W
℃ /W
■引脚配置图
■电路图
D
TO-220F(俯视图)
1
2
备注
3
引脚编号
引脚名称
1
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM3C0850A
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
Gfs
Vsd
Is
脉冲电流
动态特性
Ism
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
25
Vds=500V, Vgs=0V, Ta=100℃
250
Vds=0V, Vgs=±30V
2.5
Vds=20V, Id=4A
If=4A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=250V, Id=4.8A
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vds=250V, Id=4.8A
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) Rgen=25Ω
tf
trr
If=4.8A, dIf/dt=100A/μs
Qrr Vgs=0V
寄生二极管反向恢复电荷
V
Vds=500V, Vgs=0V, Ta=25℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on) Vgs=10V, Id=4A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
500
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 只限于最大允许温度
5. Vdd=60V时, 开始Tj=25℃
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
0.65
μA
±100
nA
4.5
0.85
V
Ω
1
1.7
8
S
V
A
1
1
3
34
A
3
7
1250
pF
138
14
pF
pF
21.6
7.2
6.6
nC
nC
nC
2
2
2
23
71
ns
ns
2
2
112
69
360.0
ns
ns
ns
2
2
0.8
μC




单 N 沟道 MOSFET
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
ELM3C0850A





  


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



















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









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
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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单 N 沟道 MOSFET
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
ELM3C0850A
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

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



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
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


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4-4
 ELM 的英文版或日文版。
如需确认语言的准确性 , 请参考
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