elm3c1260a

单 N 沟道 MOSFET
ELM3C1260A
■概要
■特点
ELM3C1260A 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=600V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=12A
· Rds(on) < 0.65Ω (Vgs=10V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=100℃
600
±30
V
V
漏极电流(脉冲)
Idm
12.0
8.5
48
崩溃电流
Ias
7.4
A
5
5
漏极电流(定常)
Id
A
4
A
3, 4
崩溃能量
L=10mH
Eas
277
mJ
容许功耗
Tc=25℃
Tc=100℃
Pd
50
20
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
结合部温度及保存温度范围
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
Rθja
最大结合部 - 环境热阻
典型值
最大值
单位
2.5
62.5
℃ /W
℃ /W
■引脚配置图
■电路图
D
TO-220F(俯视图)
1
2
备注
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
DRAIN
3
SOURCE
6-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM3C1260A
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
Coss
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
V
Vds=600V, Vgs=0V, Ta=25℃
25
Vds=600V, Vgs=0V, Ta=100℃
250
Vds=0V, Vgs=±30V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on) Vgs=10V, Id=6A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
600
2.5
Vds=40V, Id=6A
If=8A, Vgs=0V
0.475
μA
±100
nA
4.5
0.650
V
Ω
1
1.4
12
S
V
A
1
1
3
16
2290
pF
281
pF
Crss
46
pF
Qg
46.5
nC
2
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=10V, Vds=300V, Id=6A
Qgd
td(on)
10.0
16.1
35
nC
nC
ns
2
2
2
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
Vds=300V, Id=6A, Rgen=25Ω
td(off)
120
115
ns
ns
2
2
90
420
4.7
ns
ns
μC
2
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
tf
trr
Qrr
Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
If=12A, dIf/dt=100A/μs
Vgs=0V
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 只限于最大允许温度
5. Vdd=50V时, 开始Tj=25℃
6-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
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ELM3C1260A
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■标准特性和热特性曲线
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6-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
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ELM3C1260A
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6-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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6 - 5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。


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单 N 沟道 MOSFET



ELM3C1260A
 

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
6-6
 ELM 的英文版或日文版。
如需确认语言的准确性 , 请参考

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