单 N 沟道 MOSFET ELM32400LA-S ■概要 ■特点 ELM32400LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=22A ·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 60 ±20 22 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A 18 Idm 容许功耗 V V 80 50 A 3 W 32 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 典型值 最大值 单位 2.5 55.0 ℃/W ℃/W Rθjc Rθja ■引脚配置图 ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 2 1 3 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM32400LA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=40V,Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=48V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 60 1.0 22 Vgs=10V, Id=10A Vgs=4.5V, Id=8A Vds=10V, Id=10A 1.5 42 59 14 If=1A, Vgs=0V μA ±250 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 55 75 1 22 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss 587 80 46 pF pF pF 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 12.5 1.8 nC nC 2 2 导通延迟时间 Qgd td(on) 3.7 11 nC ns 2 2 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=30V , Id=1A td(off) Rgen=6Ω tf 8 19 6 ns ns ns 2 2 2 Vgs=10V, Vds=30V, Id=10A 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM32400LA-S ■标准特性和热特性曲线 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM32400LA-S � �� �� � � � � � � � � 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。