elm32414la

单 N 沟道 MOSFET
ELM32414LA-S
■概要
■特点
ELM32414LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，
·Vds=25V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=35A
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
±20
V
记号
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=100℃
Id
35
25
A
漏极电流（脉冲）
Idm
120
A
崩溃电流
崩溃能量
Iar
Eas
15
15.0
A
mJ
Ear
5.6
50
35
mJ
- 55 ~ 150
℃
漏极电流（定常）
L=0.133mH
持续崩溃能量
L=0.05mH
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
3
4
W
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
热阻 ( 封装 - 散热器 )
Rθjc
Rθja
Rθcs
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
2.5
75.0
℃/W
℃/W
℃/W
0.7
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32414LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
25
V
Vds=20V,Vgs=0V
25
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃
250
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Vgs=10V, Id=15A
Vgs=4.5V, Id=15A
Vds=15V, Id=30A
1.0
35
±250
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
15.5
23.0
28
20.0
31.0
1.1
1.4
35
V
A
1
120
A
3
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
530
200
700
275
pF
pF
Crss
60
90
pF
Qg
8.4
11.0
nC
2
2.5
6.4
3.1
9.6
nC
nC
2
2
6.2
11.0
23.0
9.3
17.0
34.0
ns
ns
ns
2
2
2
18.0
15
2
27.0
18
3
ns
ns
nC
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
14
1.5
μA
If=Is, Vgs=0V
Vgs=10V, Vds=12.5V, Id=15A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=15A
td(off) Rgen=12.7Ω
tf
trr
Qrr
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P2003BDG
N-Channel
Enhancement
单 N Logic
沟道Level
MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM32414LA-S
NIKO-SEM
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
10.0V
50
7.0V
45
3.0
5.0V
6.0V
R DS(ON) ,NORMALIZED
55
4.5V
40
35
30
25
4.0V
20
15
DRAIN - SOURCE ON - RESISTANCE
ID ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A )
ON- RESISTANCE VARIATION WITH DRAIN CURRENT AND GATE VOLTAGE
ON-REGION CHARACTERISTIC
60
3.5V
10
VGS =3.0V
5
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
VDS,DRAIN- SOURCE VOLTAGE ( V )
4.5
0.8
25
50
75 100 125
0
Tj ,JUNCTION TEMPERATURE( °C )
50
150
0
10
20
30
40
I D ,DRAIN CURRENT( A )
50
60
0.05
0.04
0.03
TA = 125°C
0.02
TA = -55°C
25°C
125°C
20
10
3
4
2
VGS,GATE TO SOURCE VOLTAGE
TA = 25°C
2
60
30
1
10V
0.5
0.01
175
40
0
1.0
TRANSFER CHARACTERISTICS
VDS =10V
I D,DRAIN CURRENT( A )
R DS(ON) ,ON-RESISTANCE(OHM)
1.0
I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A )
DS(ON)
R
,NORMALIZED
DRAIN - SOURCE ON - RESISTANCE
1.2
60
6.0V
7.0V
ID = 15A
1.4
-25
5.0V
ON-RESISTANCE VARIATION WITH GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
I D = 15A
0.6
-50
4.5V
1.5
0.06
VGS= 10V
1.6
2.0
0
5.0
ON- RESISTANCE VARIATION WITH TEMPERATURE
1.8
VGS = 4.0V
2.5
10
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH
SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
VGS= 0V
10
TA = 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
5
6
8
4
VGS,GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
0.8
1.0
1.2
0.2
0.4
0.6
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
3
4-3
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1.4
DEC-28-2004
GATE CHARGE CHARACTERISTICS
10
I D = 15A
V GS ,GATE - SOURCE VOLTAGE ( V )
P2003BDG
单 N 沟道 MOSFET
N-Channel Logic Level Enhancement
ModeELM32414LA-S
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
10000
15V
CAPACITANCE( pF )
8
VDS = 5V
10V
6
4
1000
Ciss
Coss
100
Crss
2
0
0
16
8
12
Qg ,GATE CHARGE ( nC )
4
f = 1MHZ
V = 0V
10 GS
1
5
SINGLEPULSE MAXIMUMPOWERDISSIPATION
2400
10
15
25
20
30
VDS ,DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
3
10
SINGLE PULSE
R� = 2 .5°C/W
TC = 25°C
JC
I D,DRAIN CURRENT( A )
POWER( W )
2000
1600
1200
800
10
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R� JC= 2.5 °C/W
Tc = 25 °C
10 -1
10
1000
10m
s
0
1
10
10
VDS,DRAIN - SOURCE VOLTAGE
2
10
D=0.5
0
-1
0.20
0.10
0.05
-2
0.02
0.01
P(pk)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE
10
100
DC
1
10
TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE
1
10
10
10
1
SINGLE PULSE TIME( SEC)
10
0µ
S
1m
s
0
0.1
it
Lim
n)
R ds(o
400
0
0.01
35.0µS
2
10
10
t1
-3
t2
1.R� JC (t)=r(t)*R
2.R � JC = 2.5° C/W
3.T j + TC = P * R � JC (t)
t1
4.Duty Cycle,D =
t2
Single pulse
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
-4
10
10
t1 , TIME( ms )
-3
10
-2
10
-1
10
0
4
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
DEC-28-2004