elm32418la

单 N 沟道 MOSFET
ELM32418LA-S
■概要
■特点
ELM32418LA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=40V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=20A
·Rds(on) < 15mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=7V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
40
±20
20
Id
Ta=100℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=100℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
16
Idm
容许功耗
V
V
50
42
A
3
W
32
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
典型值
最大值
单位
3
75
℃/W
℃/W
Rθjc
Rθja
■引脚配置图
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32418LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=30V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.3
20
V
A
1
50
A
3
1145
255
1450
355
pF
pF
Crss
95
145
pF
Qg
23.0
nC
2
Vgs=10V, Vds=20V, Id=10A
3.6
3.0
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=20V , Id=1A
td(off) RL=1Ω, Rgen=6Ω
3.2
10.8
17.1
6.4
21.7
30.8
ns
ns
ns
2
2
2
5.3
60
43
10.7
ns
ns
nC
2
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
tf
trr
Qrr
1.2
50
Vgs=10V, Id=20A
Vgs=7V, Id=10A
Vds=10V, Id=20A
正向跨导
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
μA
±250
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
栅极 - 漏极电荷
V
Vds=32V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
40
2.0
12.5
18.0
25
If=Is, Vgs=0V
If=20A, dIf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
15.0
27.0
NIKO-SEM
N-Channel
Logic
Level
Enhancement
单N
沟道
MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM32418LA-S
P1504BDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS= 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
1.4
May-05-2006
NIKO-SEM
单 N 沟道 MOSFET
N-Channel Logic Level Enhancement
ELM32418LA-S
Mode
Field Effect Transistor
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P1504BDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
May-05-2006
Similar pages