单 N 沟道 MOSFET ELM32418LA-S ■概要 ■特点 ELM32418LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=20A ·Rds(on) < 15mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=7V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 40 ±20 20 Id Ta=100℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Pd Tc=100℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A 16 Idm 容许功耗 V V 50 42 A 3 W 32 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 典型值 最大值 单位 3 75 ℃/W ℃/W Rθjc Rθja ■引脚配置图 ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 2 1 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM32418LA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=30V,Vgs=0V, Ta=125℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V nA 3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 1.3 20 V A 1 50 A 3 1145 255 1450 355 pF pF Crss 95 145 pF Qg 23.0 nC 2 Vgs=10V, Vds=20V, Id=10A 3.6 3.0 nC nC 2 2 td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V , Id=1A td(off) RL=1Ω, Rgen=6Ω 3.2 10.8 17.1 6.4 21.7 30.8 ns ns ns 2 2 2 5.3 60 43 10.7 ns ns nC 2 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Qgs Qgd tf trr Qrr 1.2 50 Vgs=10V, Id=20A Vgs=7V, Id=10A Vds=10V, Id=20A 正向跨导 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 μA ±250 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V 栅极 - 漏极电荷 V Vds=32V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 40 2.0 12.5 18.0 25 If=Is, Vgs=0V If=20A, dIf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 15.0 27.0 NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement 单N 沟道 MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM32418LA-S P1504BDG TO-252 (DPAK) Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS= 0V T A = 125°C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 1.4 May-05-2006 NIKO-SEM 单 N 沟道 MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement ELM32418LA-S Mode Field Effect Transistor 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P1504BDG TO-252 (DPAK) Lead-Free May-05-2006