elm32434la

单 N 沟道 MOSFET
ELM32434LA-S
■概要
■特点
ELM32434LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，
·Vds=600V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=2A
·Rds(on) < 4.4Ω (Vgs=10V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Vds
Vgs
600
±30
V
V
Id
2.0
1.1
A
4
漏极电流（脉冲）
Idm
7
A
3, 4
崩溃电流
崩溃能量
Ias
Eas
2.4
29
A
mJ
5
5
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流（定常）
L=10mH
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
50
20
-55 ~ 150
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
Rθja
最大结合部 - 环境热阻
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
2.5
62.5
℃/W
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
6-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32434LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
600
V
Vds=600V, Vgs=0V, Ta=25℃
25
Vds=600V, Vgs=0V, Ta=100℃
250
Vds=0V, Vgs=±30V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on) Vgs=10V, Id=1A
2.5
±100
nA
4.5
4.4
V
Ω
1
1.5
2
S
V
A
1
1
3
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
Ciss
342
pF
输出电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
47
pF
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Crss
6
pF
Qg
7.8
nC
2
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=10V, Vds=300V, Id=1.2A
Qgd
td(on)
3.1
2.3
15
nC
nC
ns
2
2
2
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
Vds=300V, Id=2A, Rgen=25Ω
td(off)
30
28
ns
ns
2
2
36
780
3.8
ns
ns
μC
2
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
tf
trr
Qrr
Vds=10V, Id=1A
If=2A, Vgs=0V
3.7
μA
If=2A, dIf/dt=100A/μs
Vgs=0V
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 只限于最大容许温度。
5. 当 Vdd=60V 时，开始为 Tj=25℃。
6-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.9
单 N 沟道 MOSFET
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
Transfer Characteristics
5
VGS = 10V
VGS = 6V
2.0
1.5
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
2.5
P0260AD
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32434LA-S
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
VGS = 5V
1.0
VGS = 4.5V
0.5
0
0
4
8
12
20
16
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
4
3
2
TJ=125°C
TJ=25°C
1
TJ= - 20°C
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
420
RDS(ON) x 2.6
V G S = 0V , f=1 M H Z
RDS(ON) x 2.2
C , Capacitance(pF)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
360
RDS(ON) x 1.8
RDS(ON) x 1.4
RDS(ON) x 1.0
RDS(ON) x 0.2
- 50
0
25
50
75
100
125
C iss
300
240
180
120
60
VGS = 10V
ID = 1A
- 25
C oss
C rss
0
150
1
TJ , Junction Temperature(C)
1.0E+02
VDS=300V
1.0E+01
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
ID=1.2A
8
10
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
10
8.0
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) x 0.6
7.0
6
4
2
T J =150° C
1.0E+00
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
Qg , Total Gate Charge
6
0.3
8
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Mar-23-2009
REV 0.9
3
6-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
10
P0260AD
ELM32434LA-S
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3500
Operation in This Area
is Lim ited by RDS(ON)
�
3000
SINGLE PULSE
R�JC = 2.5� C/W
TC=25� C
2500
1
Power(W)
ID , Drain Current(A)
1ms
10m s
100m s
2000
1500
1S
0.1
1000
DC
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TC=25� C
3.R�JC = 2.5� C/W
500
4.Single Pulse
0.01
10
100
0
1000
0.0001
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
Single Pulse Time(s)
1
10
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
Transient Thermal Response Curve
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
Mar-23-2009
REV 0.9
4
6-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
单 NEffect
沟道 Transistor
MOSFET
Field
ELM32434LA-S
Figure 1
P0260AD
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Figure 2
Figure 3
Figure 4
Figure 5
Figure 6
Mar-23-2009
REV 0.9
65- 5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
单 N Enhancement
沟道 MOSFETMode
N-Channel
FieldELM32434LA-S
Effect Transistor
P0260AD
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Figure 7
Figure 8
REV 0.9
6-6
6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Mar-23-2009