elm529977a

单 N 沟道 MOSFET
ELM529977A-S
■概要
■特点
ELM529977A-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=12A
·Rds(on) = 118mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) = 130mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
60
V
±20
12
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
8
Idm
Ias
容许功耗
V
30
15
A
A
40
W
15
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
Rθja
■引脚配置图
最大值
单位
62.5
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
1
2
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
5- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM529977A-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=60V,Vgs=0V, Ta=85℃
5
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=60V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
60
0.7
30
Vgs=10V, Id=8A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=15V, Id=5.3A
12
Is=2A, Vgs=0V
0.8
Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
480
50
35
μA
±100
nA
2.5
V
A
118
130
mΩ
S
1.2
12
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=48V, Id=5A
6
2
pF
pF
pF
12
nC
nC
导通延迟时间
Qgd
td(on)
3
6
12
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=30V , RL=6Ω
td(off) Id=5A, Rgen=3.3Ω
tf
6
12
4
12
20
10
ns
ns
ns
5- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AFN9977
Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM529977A-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Jul. 2012
www.alfa-mos.com
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Enhancement Mode MOSFET
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Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
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■测试电路和波形
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