elm14405aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM14405AA-N
■概要
■特点
ELM14405AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-6A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
-30
±20
-6.0
-5.1
-30
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
3.0
Pd
Tj, Tstg
2.1
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
31
59
最大值
40
75
单位
℃/W
℃/W
备注
16
24
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
1
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
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D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM14405AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-30
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-6A
Gfs
Vsd
V
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vds=-5V, Id=-6A
Is=-1A, Vgs=0V
6.0
-1.8
40
50
55
70
-4.2
A
840
pF
700
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
112
78
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A
mΩ
S
V
Ciss
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
V
65
85
9.5
-0.78 -1.00
Is
Rg
nA
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
-3.0
μA
pF
pF
10
15
Ω
14.7
7.6
2.0
18.0
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
3.8
8.6
5.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=2.5Ω, Rgen=3Ω
tf
28.2
13.5
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
24.0
14.7
30.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 P 沟道 MOSFET
ELM14405AA-N
■标准特性和热特性曲线
20
-10V
10
-6V -5V
-4.5V
-4V
10
-Id(A)
-Id (A)
Vds=-5V
8
15
-3.5V
5
Vgs=-3V
0
0.00
2.00
3.00
4.00
4
125°C
2
-2.5V
1.00
6
25°C
0
5.00
0
1
100
4
1.6
80
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
3
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
Vgs=-4.5V
60
Vgs=-10V
40
20
1.4
Vgs=-10V
Vgs=-4.5V
1.2
1
Id=-5A
0.8
0
2
4
6
8
10
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
160
140
1E+00
Id=-5A
120
1E-01
100
1E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
2
125°C
125°C
1E-03 MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
80
THIS PRODUCT
HAS BEEN DESIGNED AND
QUALIFIED FOR THE CONSUMER
25°C
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
1E-04
60
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
25°C
FUNCTIONS
WITHOUT NOTICE.
40 AND RELIABILITY
1E-05
1E-06
20
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM14405AA-N
10
1200
Vds=-15V
Id=-6A
9
8
1000
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
7
6
5
4
3
2
Ciss
800
600
400
Coss
200
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Crss
0
16
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
1ms
10ms
DC
0.1
1
10
100
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
20
10
10s
10
25
30
100�s
1s
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
0.1s
1
15
40
Rds(on)
limited
10
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100
5
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
Pd
COMPONENTS
0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Ton
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
T
Single Pulse
0.01
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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