单 P 沟道 MOSFET ELM14409AA-N ■概要 ■特点 ELM14409AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-15A (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 -30 ±20 V V -15.0 -12.8 -80 3.0 Pd Tj, Tstg 2.1 -55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 t≤10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl 典型值 26 50 最大值 40 75 单位 ℃/W ℃/W 备注 14 24 ℃/W 3 ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 1 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM14409AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 -5 Ta=55℃ -25 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.4 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -80 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Vgs=-10V Rds(on) Id=-15A Gfs Vsd V Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-10A Vds=-5V, Id=-15A Is=-1A, Vgs=0V 35 -1.9 6.2 7.5 8.2 11.5 9.5 12.0 50 -0.71 -1.00 Is Ciss 5270 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss 945 745 Rg 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-15A nA V A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 栅极电阻 开关特性 -2.7 μA mΩ S V -5 A 6400 pF pF pF 2 3 Ω 100.0 51.5 14.5 120.0 nC nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 23.0 14.0 16.5 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=1Ω, Rgen=3Ω tf 76.5 37.5 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=-15A, dlf/dt=100A/μs If=-15A, dlf/dt=100A/μs 36.7 28.0 45.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM14409AA-N ■标准特性和热特性曲线 60 60 -10V 50 -6V -4.5V -3.5V 40 -4V -Id(A) -Id (A) 40 Vds=-5V 50 30 30 20 20 Vgs=-3V 10 125°C 10 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1 10 1.5 2.5 3 3.5 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 4 1.6 Id=-15A Normalized On-Resistance Vgs=-4.5V 8 Rds(on) (m� ) 2 Vgs=-10V 6 4 1.4 Vgs=-10V Vgs=-4.5V 1.2 1 0.8 0 2 5 10 -Id (A) 15 20 25 Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 0 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 20 1.0E+02 Id=-15A 16 1.0E+01 Vgs=0V 1.0E+00 12 -Is (A) Rds(on) (m� ) 25 125°C 125°C 1.0E-01 1.0E-02 8 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING 25°C 1.0E-03 OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, 25°C 4 1.0E-04 FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 0 0 2 4 6 8 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM14409AA-N 10 8 7000 6000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 8000 Vds=-15V Id=-15A 6 4 Ciss 5000 4000 3000 Coss 2000 2 1000 0 0 100.0 20 40 60 80 100 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 120 0 Power (W) -Id (Amps) 0.1s 1s DC Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 60 40 0 0.001 0.1 0.1 15 20 25 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 20 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 80 10ms 1.0 5 100 10�s 1ms 10.0 Crss 0 1 10 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL Pd COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING 0.1 OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, Ton FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 1 10 Pulse 0.1 Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000