单 P 沟道 MOSFET ELM34V555A-N ■概要 ■特点 ELM34V555A-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-6A ·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 Id 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 V ±20 -6.0 V A -4.7 Idm Ias -24 -19.3 A A 持续崩溃能量 L=0.1mH Eas 18.6 mJ 容许功耗 Tc=25℃ Tc=70℃ Pd 1.7 1.1 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 结合部温度及保存温度范围 3 ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 典型值 最大值 单位 备注 72 ℃/W 4 Rθja ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM34V555A-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Vgs=-10V, Id=-6A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-6A Gfs Vds=-5V, Id=-6A Vsd If=-6A, Vgs=0V -0.8 μA ±100 nA -1.5 22 -2.5 28 V 32 22 45 Is mΩ 1 -1.0 S V 1 1 -10 A 输入电容 Ciss 846 pF 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 120 106 11 pF pF Ω 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 20.0 2.4 nC nC 2 2 4.8 10.4 nC ns 2 2 7.8 22.0 7.0 ns ns ns 2 2 2 12.2 3.5 ns nC Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-6A 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-6A, Rgen=6Ω tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=-6A, dIf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 1 平方英尺、2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET SOP-8 Halogen-free & Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 Output Characteristics Transfer Characteristics 24 VGS=-10V VGS=-9V VGS=-8V VGS=-7V VGS=-6V VGS=-5V VGS=-4.5V VGS=-3.5V 18 -ID, Drain-To-Source Current(A) -ID, Drain-To-Source Current(A) 24 VGS=-3V 12 6 VGS=-2.5V 0 0 1 2 3 4 5 18 12 6 25℃ 125℃ 0 6 0 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Gate charge Characteristics 2 3 4 5 Capacitance Characteristic 1000 VDS=-15V ID=-6A 900 8 C , Capacitance(pF) -VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 1 -20℃ -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 10 6 4 CISS 800 700 600 500 400 300 200 2 COSS 100 0 0 4 8 12 16 0 20 CRSS 0 Qg , Total Gate Charge(nC) 10 15 20 25 30 On-Resistance VS Drain Current On-Resistance VS Gate-To-Source 0.05 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) 0.08 0.06 0.04 ID=-6A 0.02 0 5 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.1 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) PV555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM34V555A-N Field Effect Transistor NIKO-SEM 2 4 6 8 0.04 VGS=-4.5V 0.03 VGS=-10V 0.02 0.01 0 10 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 0 3 6 9 12 15 -ID , Drain-To-Source Current(A) REV 0.9 E-29-3 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET SOP-8 Halogen-free & Lead-Free On-Resistance VS Temperature Source-Drain Diode Forward Voltage 2.0 100 1.8 -IS , Source Current(A) Normalized Drain to Source ON-Resistance PV555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM34V555A-N Field Effect Transistor NIKO-SEM 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 150℃ 25℃ 1 VGS=-10V ID=-6A 0.6 0.4 10 -50 -25 0 25 50 75 100 125 0.1 150 0.0 0.2 0.4 TJ , Junction Temperature(˚C) 0.8 1.0 25 10 100ms NOTE : 1.VGS= -10V 2.TA=25˚C 3.RθJA = 72˚C/W 4.Single Pulse 0.1 15 Power(W) 1ms 10ms 0.01 Single Pulse RθJA = 72˚C/W TA=25˚C 20 1 5 DC 1 10 0 0.001 100 0.01 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.1 1 10 100 Single Pulse Time(s) Transient Thermal Response Curve r(t) , Normalized Effective 10 Transient Thermal Resistance -ID , Drain Current(A) ↓ 0.1 1.4 Single Pulse Maximum Power Dissipation Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10 1.2 -VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Safe Operating Area 100 0.6 Duty cycle=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 1 Notes 0.1 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJA = 72 ℃/W 3.TJ-TA = P*RthJA(t) 4.RthJA(t) = r(t)*RthJA single pulse 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 0.9 E-29-3 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。