elm34v555a

单 P 沟道 MOSFET
ELM34V555A-N
■概要
■特点
ELM34V555A-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-6A
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
Id
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
V
±20
-6.0
V
A
-4.7
Idm
Ias
-24
-19.3
A
A
持续崩溃能量
L=0.1mH
Eas
18.6
mJ
容许功耗
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
1.7
1.1
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
结合部温度及保存温度范围
3
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
典型值
最大值
单位
备注
72
℃/W
4
Rθja
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM34V555A-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-6A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-6A
Gfs Vds=-5V, Id=-6A
Vsd If=-6A, Vgs=0V
-0.8
μA
±100
nA
-1.5
22
-2.5
28
V
32
22
45
Is
mΩ
1
-1.0
S
V
1
1
-10
A
输入电容
Ciss
846
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
120
106
11
pF
pF
Ω
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
20.0
2.4
nC
nC
2
2
4.8
10.4
nC
ns
2
2
7.8
22.0
7.0
ns
ns
ns
2
2
2
12.2
3.5
ns
nC
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-6A
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-6A, Rgen=6Ω
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=-6A, dIf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 1 平方英尺、2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。
4- 2
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单 P 沟道 MOSFET
SOP-8
Halogen-free & Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
Transfer Characteristics
24
VGS=-10V
VGS=-9V
VGS=-8V
VGS=-7V
VGS=-6V
VGS=-5V
VGS=-4.5V
VGS=-3.5V
18
-ID, Drain-To-Source Current(A)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
24
VGS=-3V
12
6
VGS=-2.5V
0
0
1
2
3
4
5
18
12
6
25℃
125℃
0
6
0
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
2
3
4
5
Capacitance Characteristic
1000
VDS=-15V
ID=-6A
900
8
C , Capacitance(pF)
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
1
-20℃
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
10
6
4
CISS
800
700
600
500
400
300
200
2
COSS
100
0
0
4
8
12
16
0
20
CRSS
0
Qg , Total Gate Charge(nC)
10
15
20
25
30
On-Resistance VS Drain Current
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.05
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.08
0.06
0.04
ID=-6A
0.02
0
5
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
PV555BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM34V555A-N
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
2
4
6
8
0.04
VGS=-4.5V
0.03
VGS=-10V
0.02
0.01
0
10
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
0
3
6
9
12
15
-ID , Drain-To-Source Current(A)
REV 0.9
E-29-3
3
4- 3
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单 P 沟道 MOSFET
SOP-8
Halogen-free & Lead-Free
On-Resistance VS Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
2.0
100
1.8
-IS , Source Current(A)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
PV555BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM34V555A-N
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
150℃
25℃
1
VGS=-10V
ID=-6A
0.6
0.4
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
150
0.0
0.2
0.4
TJ , Junction Temperature(˚C)
0.8
1.0
25
10
100ms
NOTE :
1.VGS= -10V
2.TA=25˚C
3.RθJA = 72˚C/W
4.Single Pulse
0.1
15
Power(W)
1ms
10ms
0.01
Single Pulse
RθJA = 72˚C/W
TA=25˚C
20
1
5
DC
1
10
0
0.001
100
0.01
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
r(t) , Normalized Effective
10
Transient Thermal Resistance
-ID , Drain Current(A)
↓
0.1
1.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
10
1.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Safe Operating Area
100
0.6
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
Notes
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 72 ℃/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
single pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
E-29-3
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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