elm34405aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM34405AA-N
■概要
■特点
ELM34405AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-40V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-5.5A
·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
-5.5
-4.5
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-40
V
±20
V
Pd
A
-20
2.5
A
W
1.3
Tj, Tstg
3
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
典型值
最大值
单位
50
℃/W
Rθja
■引脚配置图
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
引脚编号
引脚名称
1
SOURCE
1
8
2
SOURCE
2
7
3
SOURCE
3
6
4
5
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4- 1
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D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM34405AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-40
V
Vds=-32V, Vgs=0V
-1
Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
-1.0
-20
Vgs=-10V, Id=-5.5A
Vgs=-4.5V, Id=-4.5A
Vds=-10V, Id=-5.5A
-1.5
38
65
11
μA
±250
nA
-2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1
-1.3
V
A
1
-2.6
A
3
55
94
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
690
310
pF
pF
Crss
75
pF
14.0
nC
2
2.2
1.9
nC
nC
2
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qg
Qgs
Qgd
Is=If, Vgs=0V
Vgs=-10V, Vds=-20V,
Id=-5.5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
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6.7
9.7
19.8
13.4
19.4
35.6
ns
ns
ns
2
2
2
12.3
15.5
7.9
22.2
ns
ns
nC
2
NIKO-SEM
P-Channel
Enhancement
单 PLogic
沟道Level
MOSFET
P5504EVG
Mode Field Effect Transistor
ELM34405AA-N
SOP-8
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
-Is - Reverse Drain Current(A)
100
V GS = 0V
10
1
0.1
T A = 125° C
25° C -55° C
0.01
0.001
0
0.8
1.0
1.2
0.2
0.6
0.4
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
4- 3
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1.4
NIKO-SEM
P-Channel
Level Enhancement
单 P Logic
沟道 MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM34405AA-N
4- 4
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P5504EVG
SOP-8
Lead-Free
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