elm34409aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM34409AA-N
■概要
■特点
ELM34409AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-30V
·Id=-9A
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
-30
±25
-9
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
-7
-50
崩溃电流
崩溃能量
Ias
Eas
-26
34
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj, Tstg
V
V
A
A
3
A
mJ
2.5
W
1.6
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθjc
Rθja
典型值
最大值
25
50
■引脚配置图
单位
℃/W
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM34409AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±25V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-30
-1.0
9
Vgs=-10V, Id=-9A
Vgs=-4.5V, Id=-7A
Vds=-10V, Id=-9A
-1.5
15
25
24
If=-1A, Vgs=0V
μA
±100
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
20
35
-1.2
-2.1
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极抵抗
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=15mV, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-9A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω
tf
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1610
410
200
pF
pF
pF
3.7
Ω
31.4
nC
2
4.5
8.2
nC
nC
2
2
5.7
10.0
18.0
ns
ns
ns
2
2
2
5.0
ns
2
单 P 沟道 MOSFET
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■标准特性和热特性曲线
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4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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单 P 沟道 MOSFET
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如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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