elm34537ba

单 P 沟道 MOSFET
ELM34537BA-N
■概要
http://www.elm-tech.com
■特点
ELM34537BA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电
·Vds=-30V
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-11A
·Rds(on) < 9mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流（定常）
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
崩溃电流
Id
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
V
±25
-11.0
V
A
-8.7
Idm
Ias
-50
-35
A
A
崩溃能量
L=0.1mH
Eas
61
mJ
容许功耗
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
1.8
1.2
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
结合部温度及保存温度范围
3
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
Rθjc
最大结合部 - 封装热阻
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
68
25
℃/W
备注
4
■电路图
SOP-8(俯视图)
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
1
8
2
SOURCE
2
7
3
SOURCE
3
6
4
5
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
D
G
S
Rev.1.0
4 -1
单 P 沟道 MOSFET
ELM34537BA-N
■电特性
项目
记号
条件
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如没有特别注明时 ,Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±25V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-11A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-11A
Gfs Vds=-10V, Id=-11A
Vsd If=-11A, Vgs=0V
-1.0
μA
±100
nA
-1.6
7.2
-3.0
9.0
V
10.4
40
14.0
Is
mΩ
1
-1.3
S
V
1
1
-11
A
输入电容
Ciss
2664
pF
输出电容
反馈电容
柵极抵抗
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
374
271
3.7
pF
pF
Ω
56
28
nC
nC
2
2
9
13
nC
nC
2
2
22
26
102
ns
ns
ns
2
2
2
75
26
14
ns
ns
μC
2
开关特性
总栅极电荷 (Vgs=-10V)
总栅极电荷 (Vgs=-4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qg
Qg
Qgs
Qgd
Vds=-15V, Id=-11A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-11A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-11A, dIf/dt=100A/μs
备注：
占空比≤2%;
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
2. 独立于工作温度;
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制;
4. Rθja 的值是在 Ta= 25℃和静止空气环境下，使用 1in2 铜板、FR-4 印制电路板设备上测试出来的。
Rev.1.0
4 -2
单 P 沟道 MOSFET
ELM34537BA-N
PV537BA
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
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SOP-8
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
30
VGS=�10V
VGS=�9V
VGS=�8V
VGS=�7V
VGS=�6V
VGS=�5V
VGS=�4.5V
VGS=�3.5V
VGS=�3V
24
18
12
VGS=-2.5V
6
0
0
1
2
3
Transfer Characteristics
30
-ID, Drain-To-Source Current(A)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
Halogen-free & Lead-Free
4
24
18
12
25��
6
125�
�20��
0
5
0
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
3
4
5
Capacitance Characteristic
3000
VDS=-15V
ID=-11A
8
2500
C , Capacitance(pF)
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
2
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
10
6
4
2
CISS
2000
1500
1000
COSS
500
CRSS
0
0
10
20
30
40
50
0
60
0
Qg , Total Gate Charge(nC)
On-Resistance VS Gate-To-Source
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.02
0.015
0.01
0
ID=-11A
2
4
6
8
10
15
20
25
On-Resistance VS Drain Current
0.02
0.025
0.005
5
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.03
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
1
0.015
VGS=-4.5V
0.01
VGS=-10V
0.005
0
10
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
0
5
10
15
20
25
30
-ID , Drain-To-Source Current(A)
REV 1.0
F-34-4
3
Rev.1.0
4 -3
单 P 沟道 MOSFET
PV537BA
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
ELM34537BA-N
SOP-8
Field Effect Transistor
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NIKO-SEM
Halogen-free & Lead-Free
On-Resistance VS Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
1.6
-IS , Source Current(A)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
1.8
1.4
1.2
1.0
1
VGS=-10V
ID=-11A
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
150
0.0
0.2
Safe Operating Area
100
0.4
0.6
0.8
80
Single Pulse
R�JA = 68C/W
TC=25C
Power(W)
10
1ms
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
1.2
Single Pulse Maximum Power Dissipation
64
1
1.0
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
TJ , Junction Temperature(C)
-ID , Drain Current(A)
25�
150�
10
10ms
48
32
100ms
0.1
0.01
NOTE :
1.VGS= -10V
2.TA=25C
3.R�JA = 68C/W
4.Single Pulse
0.1
16
DC
1
10
0
0.001
100
0.01
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
10
1
Duty cycle=0.5
Notes
0.2
0.1
0.1
0.05
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 68 �/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.02
0.01
0.01
0.0001
single pulse
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 1.0
F-34-4
4
Rev.1.0
4 -4