elm13413ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM13413CA-S
■概要
■特点
ELM13413CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-3A (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 97mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 190mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
-20
±8
-3.0
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
-2.4
-15
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
1.4
0.9
- 55 ~ 150
Pd
结合部温度及保存温度范围
V
V
Tj, Tstg
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
■引脚配置图
典型值
70
100
最大值
90
125
单位
℃/W
℃/W
备注
63
80
℃/W
3
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
引脚名称
1
2
GATE
SOURCE
3
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
1
单 P 沟道 MOSFET
ELM13413CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-16V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Ta=55℃
V
A
146
7
190
Is=-1A, Vgs=0V
Coss
Crss
Rg
-0.30 -0.55 -1.00
-15
Ta=125℃
Vgs=-2.5V, Id=-2.6A
Vsd
输出电容
反馈电容
栅极电阻
nA
97
135
130
二极管正向压降
4
-2
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
mΩ
S
-0.78 -1.00
Is
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
μA
±100
81
111
108
Gfs
Ciss
-5
Vgs=-4.5V
Id=-3A
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
V
-1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-1.8V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-3A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-20
V
A
540
pF
72
49
12
pF
pF
Ω
6.1
nC
Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-3A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
0.6
1.6
10
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
RL=3.3Ω, Rgen=3Ω
12
44
22
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-3A, dlf/dt=100A/μs
21.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-3A, dlf/dt=100A/μs
7.5
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 P 沟道 MOSFET
ELM13413CA-S
■标准特性和热特性曲线
6
15
-4.5V
-3.0V
Vds=-5V
-2.5V
-8V
4
10
-Id (A)
-Id (A)
-2.0V
2
5
125°C
Vgs=-1.5V
25°C
0
0
1
2
3
4
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
0
5
0
200
1
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
2
1.8
Vgs=-2.5V
Normalized On-Resistance
Vgs=-1.8V
Rds(on) (m� )
0.5
150
Vgs=-2.5V
100
Vgs=-4.5V
50
0
2
4
1.6
Vgs=-1.8V
1.4
Vgs=-4.5V
1.2
1
0.8
6
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
200
1E+01
1E+00
1E-01
-Is (A)
Rds(on) (m� )
Id=-4A
150
125°C
100
25°C
125°C
1E-02
25°C
1E-03
1E-04
1E-05
50
0
2
4
6
8
1E-06
0.0
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM13413CA-S
800
5
Vds=-10V
Id=-3A
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
1
0
0
2
4
6
Ciss
600
400
Crss
200
Coss
0
8
0
5
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
20
100�s
10.0
10�s
1ms
Rds(on)
limited
0.1s
10ms
10s
DC
1
10
100
10
0.01
1
10
100
1000
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
Pd
0.1
0.01
0.00001
0.1
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
0
0.001
0.1
1
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
5
1s
0.1
20
15
Power (W)
-Id (Amps)
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
1.0
10
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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