elm13419ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM13419CA-S
■概要
■特点
ELM13419CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=-20V
低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内
·Id=-3.5A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-10V)
藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 95mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 145mΩ (Vgs=-2.5V)
·ESD 规格∶ 2000V HBM
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-20
V
±12
-3.5
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
-2.8
-15
Idm
Tc=25℃
容许功耗
1.4
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
0.9
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
65
85
43
90
125
60
℃/W
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
备注
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM13419CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
栅极 - 源极电荷
Rg
Qg
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
td(off)
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
tf
trr
Qrr
V
-0.5
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±10V
-2.5
±1
Vds=0V, Vgs=±12V
±10
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
Vds=-16V
Vgs=0V
-20
Vgs=-10V
Id=-3.5A
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-3A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-3.5A
Is=-1A, Vgs=0V
-0.7
-15
-0.9
-1.4
59
75
83
76
111
105
95
145
μA
μA
V
A
mΩ
6.8
-0.65 -0.81 -0.95
-2.0
S
V
A
512
pF
620
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
77
62
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
9.2
13.0
Ω
5.5
6.6
nC
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-3.5A
pF
pF
0.8
1.9
5.0
nC
nC
ns
Vgs=-10V, Vds=-10V
RL=2.8Ω, Rgen=3Ω
6.7
28.0
ns
ns
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
13.5
9.8
2.7
ns
ns
nC
12.0
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM13419CA-S
■标准特性和热特性曲线
25
-9.0V
-8.0V
20
Vds=-5V
-5.0V
8
-7.0V
-4.0V
-6.0V
15
-Id (A)
-Id (A)
10
-10.0V
-3.0V
10
-2.5V
-2.0V
5
0
1
2
3
125°C
4
2
Vgs=-1.5V
0
6
4
25°C
0
5
0
0.5
1.5
2
2.5
3
3.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
160
1.6
Id=-3A, Vgs=-4.5V
140
Vgs=-2.5V
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m�)
1
120
100
Vgs=-4.5V
80
60
Vgs=-10V
40
Id=-3.5A, Vgs=-10V
1.4
1.2
Id=-1A, Vgs=-2.5V
1.0
20
0
2
4
6
8
0.8
10
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E+01
200
Id=-3.5A
180
1E+00
160
125°C
1E-01
125°C
140
-Is (A)
Rds(on) (m�)
25
120
100
25°C
1E-02
1E-03
1E-04
80
25°C
1E-05
60
1E-06
40
0
2
4
6
8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM13419CA-S
800
5
Id=-3.5A
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
Ciss
600
400
200
Coss
Crss
0
6
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10�s
100�s
1ms
10ms
1s
10s
0.1
0.1
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
0.1s
DC
1
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
15
30
Rds(on)
limited
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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