单 P 沟道 MOSFET ELM13419CA-S ■概要 ■特点 ELM13419CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=-20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内 ·Id=-3.5A (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-10V) 藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 95mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 145mΩ (Vgs=-2.5V) ·ESD 规格∶ 2000V HBM ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -20 V ±12 -3.5 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） -2.8 -15 Idm Tc=25℃ 容许功耗 1.4 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V 0.9 - 55 ~ 150 Tj, Tstg A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 65 85 43 90 125 60 ℃/W ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 备注 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM13419CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs Vsd Is 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 Coss Crss 栅极 - 源极电荷 Rg Qg 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 tr td(off) 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 tf trr Qrr V -0.5 Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±10V -2.5 ±1 Vds=0V, Vgs=±12V ±10 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 Vds=-16V Vgs=0V -20 Vgs=-10V Id=-3.5A Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-3A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-3.5A Is=-1A, Vgs=0V -0.7 -15 -0.9 -1.4 59 75 83 76 111 105 95 145 μA μA V A mΩ 6.8 -0.65 -0.81 -0.95 -2.0 S V A 512 pF 620 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz 77 62 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 9.2 13.0 Ω 5.5 6.6 nC Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-3.5A pF pF 0.8 1.9 5.0 nC nC ns Vgs=-10V, Vds=-10V RL=2.8Ω, Rgen=3Ω 6.7 28.0 ns ns If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs 13.5 9.8 2.7 ns ns nC 12.0 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM13419CA-S ■标准特性和热特性曲线 25 -9.0V -8.0V 20 Vds=-5V -5.0V 8 -7.0V -4.0V -6.0V 15 -Id (A) -Id (A) 10 -10.0V -3.0V 10 -2.5V -2.0V 5 0 1 2 3 125°C 4 2 Vgs=-1.5V 0 6 4 25°C 0 5 0 0.5 1.5 2 2.5 3 3.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 160 1.6 Id=-3A, Vgs=-4.5V 140 Vgs=-2.5V Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 1 120 100 Vgs=-4.5V 80 60 Vgs=-10V 40 Id=-3.5A, Vgs=-10V 1.4 1.2 Id=-1A, Vgs=-2.5V 1.0 20 0 2 4 6 8 0.8 10 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 200 Id=-3.5A 180 1E+00 160 125°C 1E-01 125°C 140 -Is (A) Rds(on) (m�) 25 120 100 25°C 1E-02 1E-03 1E-04 80 25°C 1E-05 60 1E-06 40 0 2 4 6 8 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM13419CA-S 800 5 Id=-3.5A Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 5 Ciss 600 400 200 Coss Crss 0 6 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10.0 Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 10�s 100�s 1ms 10ms 1s 10s 0.1 0.1 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 0.1s DC 1 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 15 30 Rds(on) limited 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 T 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000