单 P 沟道 MOSFET ELM33411CA-S ■概要 ■特点 ELM33411CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-20V ·Id=-3A ·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 140mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 240mΩ (Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 -20 ±12 V V -3.0 Id Idm 容许功耗 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Pd Tj, Tstg A -2.4 -10 A 1.00 0.64 -55 ~ 150 3 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 最大值 单位 125 ℃/W Rθja ■引脚配置图 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 备注 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33411CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=-4.5V, Id=-3A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.5A Vgs=-1.8V, Id=-1A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 Gfs Vsd V Vds=-16V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 二极管正向压降 -20 -0.7 -10 Vds=-5V, Id=-3A If=-1A, Vgs=0V -0.8 84 116 185 ±100 nA -1.2 V A 1 mΩ 1 -1.2 S V 1 1 -1.6 A 100 140 240 7 Is μA Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz 540 75 pF pF 反馈电容 栅极电阻 开关特性 Crss Rg Vgs=15mV, Vds=0V, f=1MHz 50 4.5 pF Ω 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-3A 6.2 0.6 nC nC 2 2 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V 1.6 11 15 nC ns ns 2 2 2 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf 50 24 ns ns 2 2 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33411CA-S ■标准特性和热特性曲线 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33411CA-S 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33411CA-S 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。