elm33411ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM33411CA-S
■概要
■特点
ELM33411CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-20V
·Id=-3A
·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 140mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 240mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
-20
±12
V
V
-3.0
Id
Idm
容许功耗
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Pd
Tj, Tstg
A
-2.4
-10
A
1.00
0.64
-55 ~ 150
3
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
125
℃/W
Rθja
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
备注
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM33411CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=-4.5V, Id=-3A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.5A
Vgs=-1.8V, Id=-1A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
Gfs
Vsd
V
Vds=-16V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
二极管正向压降
-20
-0.7
-10
Vds=-5V, Id=-3A
If=-1A, Vgs=0V
-0.8
84
116
185
±100
nA
-1.2
V
A
1
mΩ
1
-1.2
S
V
1
1
-1.6
A
100
140
240
7
Is
μA
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
540
75
pF
pF
反馈电容
栅极电阻
开关特性
Crss
Rg
Vgs=15mV, Vds=0V, f=1MHz
50
4.5
pF
Ω
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-3A
6.2
0.6
nC
nC
2
2
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
1.6
11
15
nC
ns
ns
2
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
50
24
ns
ns
2
2
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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单 P 沟道 MOSFET
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ELM33411CA-S
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■标准特性和热特性曲线
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如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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单 P 沟道 MOSFET
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ELM33411CA-S
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5-4
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如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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单 P 沟道 MOSFET
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ELM33411CA-S
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5-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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