elm33415ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM33415CA-S
■概要
■特点
ELM33415CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-20V
·Id=-3.5A
·Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 61mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 71mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-20
V
±8
-3.5
-2.8
V
-21
1.0
A
A
W
0.6
Tj, Tstg
3
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
120
℃/W
Rθja
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
备注
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM33415CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-20
V
Vds=-16V, Vgs=0V
-1
Vds=-10V, Vgs=0V, Ta=70℃
-10
Vds=0V, Vgs=±8V
μA
±100
nA
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-0.45 -0.60 -0.90
-21
V
A
1
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.5A
Vgs=-1.8V, Id=-2.0A
40
48
60
mΩ
1
-1.3
S
V
1
1
-3.5
A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Gfs
Vsd
Vds=-5V, Id=-3.5A
If=-3.5A, Vgs=0V
51
61
71
17
Is
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
1180
185
pF
pF
Crss
117
pF
16.7
nC
2
1.8
4.6
nC
nC
2
2
20
36
45
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ns
2
2
2
62
30
14
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nC
2
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-3.5A
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) Id=-3.5A, Rgen=3.3Ω
tf
trr
Qrr
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
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单 P 沟道 MOSFET
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ELM33415CA-S
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■标准特性和热特性曲线
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4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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单 P 沟道 MOSFET
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ELM33415CA-S
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