单 P 沟道 MOSFET ELM33415CA-S ■概要 ■特点 ELM33415CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-20V ·Id=-3.5A ·Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 61mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 71mΩ (Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Pd 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -20 V ±8 -3.5 -2.8 V -21 1.0 A A W 0.6 Tj, Tstg 3 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 最大值 单位 120 ℃/W Rθja ■引脚配置图 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 备注 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33415CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -20 V Vds=-16V, Vgs=0V -1 Vds=-10V, Vgs=0V, Ta=70℃ -10 Vds=0V, Vgs=±8V μA ±100 nA 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -0.45 -0.60 -0.90 -21 V A 1 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=-4.5V, Id=-3.5A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.5A Vgs=-1.8V, Id=-2.0A 40 48 60 mΩ 1 -1.3 S V 1 1 -3.5 A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Gfs Vsd Vds=-5V, Id=-3.5A If=-3.5A, Vgs=0V 51 61 71 17 Is Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz 1180 185 pF pF Crss 117 pF 16.7 nC 2 1.8 4.6 nC nC 2 2 20 36 45 ns ns ns 2 2 2 62 30 14 ns ns nC 2 Qg Qgs Qgd Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-3.5A td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) Id=-3.5A, Rgen=3.3Ω tf trr Qrr If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33415CA-S ■标准特性和热特性曲线 � � � � � � 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33415CA-S � � �� �� � � � � � 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。