elm53403ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM53403CA-S
■概要
■特点
ELM53403CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=-60V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-3.6A
·Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
-60
V
±20
V
-3.6
-2.6
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
-15
1.25
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
A
W
0.80
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
稳定状态
■引脚配置图
典型值
最大值
120
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
单位
℃/W
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5- 1
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单 P 沟道 MOSFET
ELM53403CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-48V, Vgs=0V, Ta=85℃
-30
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=-48V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-60
-1.0
-6
Vgs=-10V, Id=-3.6A
Vgs=-4.5V, Id=-2.6A
Vds=-15V, Id=-2.2A
Is=-1.5A, Vgs=0V
μA
±100
nA
-2.0
V
A
120
128
5
135
150
-0.75
-1.30
-1.5
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-30V
Id=-2.2A
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
RL=16.7Ω, Id=-1.8A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=-10V, Vds=-30V
5- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
410
45
20
5.0
1.5
pF
pF
pF
10.0
nC
nC
2.5
5
10
nC
ns
15
20
10
25
35
20
ns
ns
ns
AFP2379
Alfa-MOS
60V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
ELM53403CA-S
Typical Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2012
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Enhancement Mode MOSFET
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Enhancement Mode MOSFET
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■测试电路和波形
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