elm36403ea

单 P 沟道 MOSFET
ELM36403EA-S
■概要
■特点
ELM36403EA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-30V
·Id=-5A
·Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
Id
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
±20
V
V
-5.0
-4.2
-20
A
A
Pd
2.0
1.4
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
3
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤5s
Rθja
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθjl
典型值
最大值
62.5
单位
℃/W
110.0
50.0
℃/W
℃/W
■引脚配置图
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
1
5
2
备注
4
3
引脚编号
1
2
引脚名称
DRAIN
DRAIN
3
4
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4- 1
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D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM36403EA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
-1.0
-20
Vgs=-10V, Id=-5A
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vds=-10V, Id=-5A
-1.8
42
66
10
μA
±100
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1
-3
V
A
1
-6
A
3
51
85
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
700
120
pF
pF
Crss
75
pF
Qg
12.5
nC
2
2.1
3.5
nC
nC
2
2
7
10
30
ns
ns
ns
2
2
2
22
13.4
ns
nC
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
Qrr
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
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单 P 沟道 MOSFET
P5103EAG
Level Enhancement
NIKO-SEM P-Channel Logic
ELM36403EA-S
TSOP-6
Lead-Free
Mode Field Effect Transistor_Preliminary
■标准特性和热特性曲线
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
10
-Is - Reverse Drain Current(A)
V GS = 0V
T A = 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
4- 3
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May-18-2006
单Logic
P 沟道
MOSFET
Level
Enhancement
NIKO-SEM P-Channel
ELM36403EA-S
Mode Field Effect
Transistor_Preliminary
P5103EAG
TSOP-6
Lead-Free
4- 4
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May-18-2006